芯片氧化层静电放电击穿模型研讨.pdfVIP

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2018-01-03 发布于广东
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芯片氧化层静电放电击穿模型研讨.pdf

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第25卷增刊北京理工大学学报 vof．25 Suppl． Institute 2005 2005年9月TransactionsofBeij gniofTechnology．．Sep 文章编号：1001-0645(2005)增刊．024．04 芯片氧化层静电放电击穿模型研究孙可平，李学文 (上海海事大学电磁兼容与静电研究室，．j二海200135) 摘要：提出r心-H-^．Lf门电路硅氧化层静电放电介质击穿的物理模型．并使用该模型讨论了介质击穿场强与介质厚 um、面积为度的关系，讨论r介质击穿电压与ESD(静电放Eg)敏感度的尺寸效应，对于厚度为O．01 若面积也等比例缩小，则击穿电压降为20V，其结果是耐ESD的能力大幅度降低．关键词：介质击穿；ESD技术；氧化层中图分类号：0441．1 文献标识码：A Research0nESDBreakdown SiliconDioxideFilms ModelinIC SUN Xue—wen Ke—ping，LI SectionofEMC (Research and Maritime 200135，China) Electrostatics，ShanghaiUniversity,Shanghai model inICsilicondioxidefilms．ItiS Abstract：A ofdielectric breakdownwas physical presented thicknessthis discussedthatthe dielectric betweendielectricfield and model， dependence strength byusing and thesizeeffect andESD toafilm．ifits ofthedielectricbreakdown analyzes voltage pulses．As this thicknessis0．04 andarea 0。0 of filmiSabout208 iS9．09×1 breakdown gm cm2。the voltage V：If