Si1yCy薄膜中替位式C组分随生长温度的变化研究.pdfVIP

Si1-yCy 薄膜中替位式C 组分随生长温度的变化† † 王荣华 韩 平 王 琦 夏冬梅 吴 军 葛瑞萍 梅 琴 谢自力 修向前 朱顺明 顾书林 施 毅 张 荣 郑有炓 （南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093 ） 摘 要：用化学气相淀积方法，以乙烯为碳源、硅烷为硅源，在Si （100）衬底上外延生长出了C组分达1.22%的Si1-y Cy 合金薄膜，研究表明：随着生长温度的降低，薄膜中替位式C组分增加。X射线衍射测量结果显示随着合金薄膜中替 位式C含量的增大，薄膜的晶体质量得到改善；拉曼光谱显示C 以替位式处于Si的格点位置，形成Si-C局域振动模， 且随着替位式C 的增加Si （TO ）声子模发生蓝移，表明外延薄膜承受的张应力增大。 关键词：化学气相淀积；Si1-y Cy 合金；Si-C 局域振动模 1 引 言 在 Si 上外延生长 Si C 、Ge C 和 Si Ge C 合金一直受到广泛的关注，其中最重要的原因 1-y y 1-x x 1-x -y x y 是