SiC+MESFET器件制造与特性研讨.pdfVIP

200 5’全国微波毫米波会议论文集 SiC MESFET器件制造与特性研究 陈刚汪玲周德红柏松 (南京电子器件研究所，210016) 摘要：报告了4H—sic MESFET单栅器件的研制。通过对SiC关键工艺技术进行研究，设计出初步可行的-1：艺流程，并且制造出 单栅宽150um，栅长0．8umn沟道4H—sic 功率附加效率为24％。 关键词：4H碳化硅：金属半导体场效应管；微波；宽禁带半导体 中图分类号：TN386．3；TN304．2*4 A ofSiCMESFET and study fabrication ion