SIMOX+SOI晶片顶层硅、埋层厚度及均匀性的分析研讨.pdfVIP

2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年会 湖南·长沙 SIMOX SOI晶片顶层硅、埋层厚度及均匀性的 分析研究 贾京英 伍三忠 乔思雄廖炼斌 (中国电子科技集团公司第四十八研究所) 摘要：本文对SIMOXSOI材料的顶层硅和SiOz埋层的厚度及均匀性进行了分析计算，并对注人 过程中影响注入能量和剂量的参数进行了改进和控制，结果表明，有效地保证了材料中顶层硅和SiO： ’ 埋层的厚度及均匀性的指标。 关键词：SIMOXSOI晶片；顶层硅；si02埋层；厚度均匀性 一引言 SOI技术正以其独特的材料结构和全介质隔离技术而拓宽了新型高性能器件的开发领域．从而逐 渐成为研究和开发高速度、低功耗、高集成度以及高可靠性的超大规模和超高速集成电路的重要技术。 SIMOX SOl材料因其易于制备、通过调整离子能量和剂量，可对表面硅层和二氧化硅厚度进行精 细控制。与现行集成电路工艺匹配较好，因而在各种类型的集成电路中得到广泛应用。随着薄膜SOI 电路应用领域的不断扩展，对薄膜SOI制作器件提出了更高的要求。经实验和分析，在薄膜SOI上制 作高压MOSFET，器件跨导和导通电阻率与硅膜厚度有关，而SOIMOSFET的硅膜厚度是根据SOI圆 片的硅膜厚度和系列计算确定的¨I· SOI材料对SOI器件的特性和SOI电路的生产能力起着关键的作用，从器件和电路来说，SOI材 料的质量以及工艺技术都会影响到最后的产量。 顶层硅、埋氧化层厚度及均匀性是影响SOl器件参数一致性的重要因素，而注入能量和剂量的均 匀性对硅膜厚度和埋层厚度的均匀性有着直接的影响。本文通过对SIMOxSOI顶层硅和埋氧化层厚 度的计算以及对注入能量、剂量的控制和提高，从而满足对SIMOXSOl材料厚度及厚度均匀性的要 求。 二注入能量、剂量的分析计算 1离子浓度分布 Distribution 根据著名的L．S．S．理论圆，其计算的离子分布结果为一高斯分布函数(Gaussian Function)，注入离子浓度作为深度的函数型式如下： (Z—RP)2 一 懈)2高基吣一酉 ㈩ 式中，N(x)为离子分布，耳为投影射程，AR，是投影射程的标准偏差，‘P是离子注入的剂量，x为注 入离子距样品表面的距离。 一140一 2005年12月 第十三届套目电子束·离子柬·光于束学术年套 湖南-长沙 N(x) 101‘ 10‘7 101‘ 10。5 O X 图1．高斯函数的离子分布及参数 利用式(1)，离子分布的最高浓度位于投影射程x=‰处，其值为N。： o 0．4·① ，， Ⅳ一2荔蕊：2瓦F ‘2) 2注入临界剂量 具有化学剂量比的Si02含有4．4x10zz氧原子／c订，由于离子注入的统计性质，硅中氧分布形状 非矩形。而是一个相当不对称的高斯分布日。在氧离子注入时，只有当离子浓度最大值N。必须大于或 等