SiNx薄膜的制备、结构及其光学性能表征研究.pdfVIP

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真空科学与技术学报 第25卷增刊 SCIENCEAND OFVACUUM JOURNAL TEcnNOLO(;Y(OnNA)2005年12月 SiNx薄膜的制备、结构及其光学性能表征 辛煜1,2。 鲁涛1黄壮雄2濮林2施j毅2宁兆元1郑有火斗2 (1.苏州大学物理科学与技术学院,江苏省薄膜材料省重点实验室215006;2南京大学物理系,南京210093) Microstructuresand of OpticalPropertiesSIN,,Films Xm and Youdou2 Yul,,Ln Lin2,Shi Ta01,Huang压删on孑,PuY12,NmgZhaoyuanlZheng 1.School Scteneeand ofTlun ofPhyswal Technology,SuzlmuUmversⅡy,Proana以研lab f Ftkn,Sugtou,215006,\ , 、Chma;2.及即砌柳口ofPhysws,舭叼哪Umversay,Na哪ng,210093,Ouna Ahm-actStructuralevolubonand 0fthenon-stolc}uometncmheon opucail啪porues mmde(S1Nx)films,grownby chermcal cha.mctenzedmthmfra-red vapordel瑚alon,wem 北s叫国l玳(ECR)plasma andRaman resultsshowthatastheS∥NatolnlCraho wavenumberdSl·Nslrctch— spectroscopy.Tlhe ofthe越Il【Iq)110u8SlNxfilmln跚ea8鹄,the d)raf/.10n from 1 TO at Ranm mode8hlfts 890cmtO820咖1andaclear shows about480锄1in ing pll删peakup speclnlmInteresUng ISdaat film that 111 Hcontentmthe Mtll than mth Sl:NrdllO flow 6玎dlIlg grownby NI-13舶precursor略lowerM船plec㈣r.Moreover,Thegas the affectsthe band and mstanoe,asmtmlncreas髑,theband nfllrow8from50eVtO rate吼则

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