SiNx和SiC材料的红外吸收特性研讨.pdfVIP

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2018-01-03 发布于广东
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SiNx和SiC材料的红外吸收特性研讨.pdf

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No．5 第19卷第5期传感技术学报 V01．19 CHINESE OFSENSORSANDACTUATORS 2006年10月 JOURNAL Oct．2006 InfraredAbsorbanceof SiC SiN；and WANGXin。yUXiao—mei”。TIAN Da—yu Microelectronics (Institute 100871，China) of PekingUniversity，Beijing andPECVD wereusedto SiCthinfilms．TheIR Abstract：LPCVD depositSiN。and teehniques ofthefilmswere aNicolet 750FTIR．The resultsshowthat spectra acquired experiment byusing Magna theI。PCVD anabsorbanceinthe of8～1 PECVD SiChadtwoab～ SiN。had peak range 4“m，and SiN。and sorbance isinthe of and8～14 IRabsorbanceofthe peaks，whichrange respectively．The 3～5弘m pm filmsincreasedasthefilmsthickness of of thickcanreach0． increase．TheabsorbanceSiN，film1“m peak ofthe 92．Ion wasalsoutilizedto theIRabsorbancematerials． implantationtechnology change Keywords：IR；I。PCVD；PECVD；Ionimplantation EEACC：4260 SiNx和SiC材料的红外吸收特性研究王欣，于晓梅+，田大宇 (北京大学微电子学研究院，北京100871) 摘吸收特性测试，并通过离子注入的方式对其红外吸收特性进行调节．实验结果表明：LPCVD 吸收峰，而PECVDSiN，和SiC材料在3弘m～5prfl波段和8～14pm波段存在吸收峰．随着材料厚度的增加，吸收度也增加， 1 SiN。，红