Si衬底上原子层淀积Al2O3薄膜的界面层抑制研究.pdfVIP

第六届奎一表面工程拳术鲁赦 兰州 2006年8月 筠衬底上原子层淀积A1203薄膜的界面层抑制 徐敏，张卫’，孙清清，丁士进，王季陶 (复旦大学微电子学系，上海200433，‘通讯联系人) 摘要：在原子层淀积高k栅介质工艺中，如何抑止si衬底与高k栅介质的界面层生长非帮重要． 因为界面层的存在不仅降低了栅介质的有效介电常数，而且会增加界面缺陷，导致器件性能变差． 表明，在原子层淀积起始生长周期中，TMA预处理增强了界面的生长，但整个35个生长周期后界 面层却被抑止了．我们提出了一个简单的模型合理地解释了观察到的实验现象． 1．引言 CMOS 随着MOSFET器件特征尺寸的减小，栅介质的厚度正在变得越来越薄。目前的90rim 器件中，栅介质的厚度大约是1．2纳米。按照国际半导体技术发展蓝m(rrRs)，在45nm以下技术 中，栅介质的厚度将小于lnm。如此薄的栅介质，只有几个原子层的厚度，其电子隧穿漏电流将变 得非常大，导致器件无法正常工作。因此必须采用高介电常数的栅介质取代现有的氧化硅或氮氧化 硅，在保持电容不变的情况下增加栅介质的物理厚度，从而减小隧穿电流”“。在制备高k栅介质 的工艺中，原子层淀积具有自限制生长模式，能够精确控制薄膜的厚度和组份，因此受到广泛的研 究…1。然而在原子层淀积高k栅介质过程中，总是观察到有一个含有si嘎的界面层生成。该界面 层降低了高k栅介质的有效介电常数，如何抑制界面层的生长就成为高k栅介质能否应用的关键问 题之一。本文用原子层淀积制备了A1203高k介质，发现在开始生长之前．通过原位的TMA表面 预处理可以有效抑制界面层的生成。通过XPS光谱分析，我们研究了界面层的抑制机理。 2．实验 淀积设备是ASM公司的F-120型。淀积温度为300 C，气压为2乇。在一个ALD生长周期中，首 先是1．5秒的TMA脉冲，接着是2．5秒的N2冲洗脉冲，然后是1．0秒的水蒸汽脉冲，最后是3．0 秒的N2冲洗脉冲。我们比较了有TMA处理和无TMA处理两组样品。对于TMA处理的样品，是 薄膜的生长时间是35个周期。薄膜厚度和界面层用高分辨率的透射电镜OmTEM)黼到，用XPS 分析来研究界面层在生长过程中的变化。 3．结果和讨论 处理对界面层生长的抑制现象。 ．通讯联系人：张卫，男，1968年5月出生，复旦大学微电子学系教授、博士生导师。研究领域：集成电路工艺， dwzhang@fudan．ac．c§ 第六届奎目表面工程学誉奢议 兰州 2006年8月 图1原子层淀积A1203薄膜的I豫TEM照片 (a)没有TMA预处理，(b)TMJL预处理 为了探索．n舱预处理对界面层生长的影响．我们用XPS研究了第1个生长周期和第6个生长 周期后的界面情况。图2所示是TMA处理后样品的si 2pXP$谱。而图3则是没有经过TMA处理 样品的si2p 的比例高于Si2*／Sio的比例。说明TMA处理以后的样品在1个周期生长以后界面上有更多的si被 的峰大大增强，说明比起1个生长周期，6个生长周期以后界面上已经有更多si被氧化。而没有经 过TMA处理的样品，6个生长周期跟1个生长周期相比几乎没有发生太多的变化。 ’ 气 8 蚤 ‘磊 卫 三 。。，么产＼i入飘 10610410210098 96 10610410210098 96 BindingEnergy(e、，) BindingEnergy(ev) 图2经过TMA处理样品的Si 2pXPS谱(Si+表示硅酸盐中的Si) 1．n．