Si基GaN上的欧姆接触研究.pdfVIP

第6卷 第4期 功能材料与器件学报 Vol.6,Na.4 2000年12月 JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICES D- ,20M 文章编号:1007一4252(2000)04一0425一03 S1基GaN上的欧姆接触 赵作明，江若琏，陈鹏，席冬娟，沈波，郑有拼 (南京大学物理系，南京 210093) 摘要:研究了Si差GaN上的欧姆接触。对在不同的合金化条件下铝(Al)和钦铝铂 金(Ti/AUPVA时接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析。AVGaN在 450℃氮气气氛退火3min取得最好的欧姆接触率7.5x1护1)c时，而Ti/Al/Pt/Au/ GaN接触在65090氮气气氛退火20。取得最好的欧姆接触8.4x10-5Qm,而且 Ti/AVPdAu/GaN接触有较好的热稳定性。 关键词:Si基GaN;欧姆接触;A1;Ti/Al/PI/Au 中图分类号二TN305.93 文献标识码:A 1 引言 GaN材料由于其优良的物理和化学性质，近年来在半导体领域很受重视。Si基GaN容易 与传统的Si微电子工艺相结合，成本低廉，有望解决51的发光问题，在光电子器件领域有广泛 的应用前景。欧姆接触是器件中必须解决的问题，特别对于激光器和高温场效应管，接触电阻 率小、热稳定性好的欧姆接触是器件所必须的。由于GaN是一种离子晶体，它的金属半导体 接触性质不同于传统Si,Ge和Gags，它没有通常的费米能级钉扎现象’〔」，接触势垒主要决定 于金属与半导体的功函数差。但是，由于复杂的合金化反应使得金属与GaN之同的接触性质 扑朔迷离。蓝宝石基GaN上的欧姆接触已经很成熟,n-GaN主要采用Ti/Al合金和Ti/AVNi/ Au}2.31,p-GaN主要采用Ni/Au合金]’[。而最近有热稳定更好的Ti/Al/PVAu报道(5)，可在 750℃下的600min几乎不变。本文主要报道Si基GaN上的Al和Ti/AVPt/Au欧姆接触，比较 了两种接触在不同合金化条件下的性质，并得到了最佳退火温度和时间。 2 实验 实验采用了加热低压MOCVD生长GaN外延层。首先，对高阻5i(111)衬底进行标准Si 清洗工艺清洗;然后，采用三甲基铝(TMA)和氨气(NH,)作源在1070`10,1xl0Pa下生长一层 厚度为200nm的缓冲层;GaN外延层是采用三甲基嫁(TMG)和NH:作源在950`,1x10Pa 下生长的，厚度为0.5[m。电极制作在GaN外延层上，AI电极采用光刻工艺制作，Ti/Al/Pt/ Au电极采用正胶剥离技术制作。接触电阻率使用常用的传导长度法(transmissio司en加 收稿日期2000-07一06;修订日期:2000-08-24 基金项目:国家自然科学基金资助项目69636010 作者简介:赵作明(1977一)，男，现为南京大学物理系微电子学与固体电子学专业硕士 功能材料与器件学报 6卷 meht掀)进行测量。 3 结果与讨论 为了获得良好的欧姆接触，对样品进行了退火研究。A沙GaN接触的退火结果表明，在 45。℃氮气气氛下退火3min可获得接最低触电阻率为7，sxol，n ·。扩.1一V测试表明在土SV 内有良好的线性，但是，长时间的退火会使接触变差，成为非欧姆接触，如图1所示。这表明 川和GaN之间存在复杂的合金化反应。Foresi和smiht认为高温热处理会使AI和GaN之问 形成AIN或AI的氮氧化物绝缘层而使接触变差16爪。 l . 1了 划 ﹃ 呀了 哎 飞omin 之 、 日 o 、 厂下 、 ~ ~