Si衬底GaN+LED材料生长及芯片制备研究.pdfVIP

光电器件及光电显示产业论坛论文集 Si衬底GaNLED材料生长及芯片制备 江风益王立莫春兰方文卿郑畅达 (晶能光电江西有限公司，南昌，330047) (南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心，南昌，330047) 摘要 在硅衬底上生长了高质量的无裂纹GaN薄膜并制各了多量子阱LED结构，通过把外延层热压焊到另一个硅衬底上并去除 生长衬底，实现了外延层的转移，制各了出光面为N型层的垂直结构LED芯片。通过对芯片表面进行粗化处理，大大提高了 。 LED的光电参数和可靠性进行了全面的测量和分析． 芯片的发光强度。对制备的硅衬底GaN 1、引言 不可阻挡的趋势。然而半导体照明真正实现还有许多问题需要解决，其中最核心的就是成本和发光效率。 LED成本很高；蓝宝石衬底价格也较贵，而且它不导电且加工困难，使用其制造的LED成本也较高。为了降 熟的半导体材料，它不仅价格便宜，而且容易控制其导电类型和电阻率，其加工工艺也很成熟，如果用于 生长氮化镓基材料将可以显著地节约成本。然而，由于硅衬底和氮化镓基材料的品格失配和热失配都很大， 在硅衬底上生长高质量的氮化镓基材料非常困难。世界各地众多的研究组经过多年的研究，虽使硅衬底上 生长的铟镓铝氮材质量有了显著提高，但制备的LED发光效率仍很低[1，2]。我们通过采用独特的缓冲层技 LED，本文将介绍其主要技术和结果。 术、衬底转移技术和表面粗化技术，在硅衬底上制备出高性能的GaN 2、硅衬底GaN材料生长 由于硅衬底和GaN材料之间的晶格失配和热膨胀系数失配都很大，在硅衬底上生长的GaN薄膜达到一 通过引入一层含有大量缺陷的非晶态AIN过渡层，有效地缓解了衬底和外延层之间的失配应力。图1中给 出了一张我们样品中AIN过渡层的高分辨透射电镜照片。从图中可以看出过渡层是非晶态的，而它两侧的 硅衬底和GaN外延层则是晶态的。 第15页 光电器件及光电显示产业论坛论文集 图1、GaN／Si界面删照片 通过该过渡层，我们在硅衬底上制备了无微裂纹的GaN薄膜，薄膜厚度为4微米。图2中给出了我们 样品的表面形貌并给出了一张文献中典型的硅衬底GaN外延膜的表面形藐作为对比。 图2、(a)文献中典型的硅衬底GaN外延膜表面形貌，表面具有大量裂纹。(b)．本文制备的无裂纹硅衬 底GaN薄膜表面形貌。 图3给出了我们一炉生长的7个硅衬底GaN外延膜样品的X射线衍射摇摆曲线。图中 j 迎 备 ‘历 C g 三 图3、本文制备的硅衬底GaN薄膜的(a)(002)摇摆曲线，(b)(102)摇摆曲线 (a)和(b)给出了7个样品的(002)和(102)面摇摆曲线半峰宽数值，分别为350秒和460 秒左右。这些数值与产业化生产蓝光LED所用的GaN材料相比相差不大，表明我们在硅衬底上制备的GaN 第16页 光电器件及光电显示产业论坛论文集 材料已经具有很高的晶体质量。在此基础上我们在硅衬底上制备了完整的LED结构，图4给出了我们在硅 衬底上生长的5个周期GaN／InGaN多量子阱的高分辨透射电镜照片，从照片中可以看到阱和垒清晰的界面， 并且