Si基CuNiFe薄膜的生长及其粘附特性研讨.pdfVIP

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第19卷第5期 传感技术学报 voI.19No.5 CHINESE AND 2006年10月 JOURNALOFSENSORSACTUATORS 0ct.2006 TheGrowthandAdhesion Research Properties oftheCu/NiFeFilmsontheSiliconSubstrates ZHANGTa01”,WU Yi-huiH,ZHANG Pin91,WANGShu—ron91 n”d , , GraduateSchoolthe Chinese , , I. of AcademyofS“c“ien”c‘e”s5:‘。B”e。8ij。in,g。1p0‘0i‘053’9五Cih”。in栩a*c^口”ics (A1{cNadke‘mi。y”402fKS8cyieLn4ce6s:,CAha户n户92cihadun。p13‘0i‘053’3尝Chi”nga。;2 P慨ysics’cRi”gs8] Abstract:In circuit(IC)andmicro-eleetro-mechanical isdifficult integrated to with onthe new electroplatepermalloy(NiFe)material highaspect—ratio methodwas whichthemain include Sisurfaca investigated,in process treating byICP(inductivelycoupled whenthethicknessof plasma),electroplatingcopper(Cu)andelectroplatingpermalloy(NiFe)material theCufilmis1 the200 filmswhichdidnotshedfromthe 5弘m,finallypm silicon(Si)was ofthe filmand film wereobserved electron morphologiessputteredcopper electroplatedcopper byscanning residualstressinthe filmswere microscope(SEM),the Cu/NiFe

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