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第19卷第5期 传感技术学报 voI.19No.5
CHINESE AND
2006年10月 JOURNALOFSENSORSACTUATORS 0ct.2006
TheGrowthandAdhesion Research
Properties
oftheCu/NiFeFilmsontheSiliconSubstrates
ZHANGTa01”,WU
Yi-huiH,ZHANG
Pin91,WANGShu—ron91
n”d
, ,
GraduateSchoolthe
Chinese , ,
I. of AcademyofS“c“ien”c‘e”s5:‘。B”e。8ij。in,g。1p0‘0i‘053’9五Cih”。in栩a*c^口”ics
(A1{cNadke‘mi。y”402fKS8cyieLn4ce6s:,CAha户n户92cihadun。p13‘0i‘053’3尝Chi”nga。;2 P慨ysics’cRi”gs8]
Abstract:In circuit(IC)andmicro-eleetro-mechanical isdifficult
integrated
to with onthe new
electroplatepermalloy(NiFe)material
highaspect—ratio
methodwas whichthemain include Sisurfaca
investigated,in process treating byICP(inductivelycoupled
whenthethicknessof
plasma),electroplatingcopper(Cu)andelectroplatingpermalloy(NiFe)material
theCufilmis1 the200 filmswhichdidnotshedfromthe
5弘m,finallypm silicon(Si)was
ofthe filmand film
wereobserved electron
morphologiessputteredcopper electroplatedcopper byscanning
residualstressinthe filmswere
microscope(SEM),the Cu/NiFe
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