SiSiC纳米复合薄膜退火工艺的控制研究.pdfVIP

堡魁!塑!二!!堑 实验技术与管理 第23卷第7期2006年7月 CNll一2034／T and V01．23No．7Jul．2006 ExperimentalTechnologyManagement Si／SiC纳米复合薄膜退火工艺的控制 贾士利，孙景，李家俊，杜希文，赵乃勤，师春生 (天津大学材料与科学工程学院，天津300072) 摘要：讨论了Si／SiC半导体纳米复合发光薄膜退火工艺的控制。半导体纳米复合发光薄膜的光致发光性 能，直接受到退火工艺的影响和制约，退火后薄膜的组态及其元素的变化等因素，可能使得薄膜变成并不 是所期望得到的结果。该文采用了在不同气氛、不同退火介质、不同放置方法等防氧化方法下进行退火， 提高了退火可信度，使纳米复合薄膜的结果更可靠。 关键词：纳米复合薄膜；溅射；退火 中图分类号：TN304文献标识码：A 文章编号：1002-4956(2006)07—0030-03 Controlon ofSi／SiC thinfilms annealingtechnique nano—composite JIA Shi—li，SUN Jia—jun，DUXi—Wen，ZHAO Chun—sheng Jing，LI Nai—qin，SHI and (SchoolofMaterialsScience 300072，China) Engineering，TianjinUniversity，Tianjin discussedthe and ofSi／SiC thinfilms．The Abstract：This technique paper preparationannealing naflo·composite areaffectedandconfinedthe and photoluminescence(PL)resultsby annealingtechniquedirectly．Thecomponent surfacestatusoffilmsof filmsafterannealwouldnotbe severaldifferent sputtered expected．Byintroducing annealing thebest of toensurethereal of films． techniques，we wayannealing propertynano-composite clarify thin Keywords：nano-compositefilms；sputtering；annealing 近年来，研究光电集成材料过程中低维硅基发 品退火工艺的控制研究比较少哺J。采用高尖端的 光材料的探索已迅速成为热点¨。o。半导体量子点 设备进行退火，不需要考虑外部因素的影响，但是 纳米复合薄膜，尤其是硅基纳米镶嵌复合薄膜，其 如何在比较基础的条件下运用管式炉进行退火，就 基于量子尺寸效应产生独特的光电性能，加之与集 有必要进行工艺的控制研究。本文结合溅射法制备 成电路相兼容的制备技术，使其可望在光电子