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第23章 微带线 Microstrip 一、微带的基本概念 如果说带线可以看成是由同轴线演变而成的，那么，微带则可以看成是双导线演化而成的。 图 23-1 从双导线到微带 * 一、微带的基本概念 1. 微带的第一个特点是非机械加工，它采用金属薄膜工艺，而不是象带线要做机加工。 基片 打孔 蒸发 光刻 腐蚀 电镀 图 23-2 微带工艺 2. 一般地说，微带均有介质填充，因此电磁波在其中传播时产生波长缩短，微带的特点是微。 * 为了处理方便经常提出有效介电常数(它是全空间填充的)，注意是相对的。 图 23-3 微带的有效介电常数 定义 3. 结构上微带属于不均匀结构。 一、微带的基本概念 * (Ⅰ)和(Ⅱ) 相同 (Ⅰ)和(Ⅱ)Z0相同 其中，Z0是介质微带线的特性阻抗； Z01是空气微带线的特性阻抗。 Z01——是一个不随介电常数?r变化的不变量。 从概念上，考虑到局部填充，显然有 (23-3) (23-2) (23-1) 一、微带的基本概念 * 4. 严格说来，微带不是TEM波传输线，可称之为准TEM模(Quasi—TEM mode)，然而作为工程分析，这种概念和精度已足够满足要求。同样，它也是宽带结构。 5. 容易集成，和有源器件、半导体管构成放大、混频和振荡。 常用的基片有两种： 氧化铝Al2O3陶瓷 ?r=90～99 聚四氟乙烯或聚氯乙烯 ?r=2.50左右。 一、微带的基本概念 * 微带的主要研究问题 特性阻抗 特性阻抗 特性阻抗 特性阻抗 图 23-4 微带的主要问题 一、微带的基本概念 * 二、微带的特性阻抗 工程上，常常认为微带线中近似传播TEM波 其中，vp 是微带中的相速。根据等价定义： C1是微带单位长度的电容，如果我们令C01表示空气单 位长度电容，则有 代入定义式有 (23-4) (23-5) (23-6) * 对比可知 是空气微带的特性阻抗 根据上述思路，问题发生了转化。见图23-5所示 图 23-5 特性阻抗求解的转化 二、微带的特性阻抗 * 特别要注意从概念上理解 W愈大特性阻抗愈低，h愈大特性阻抗愈高。 图 23-6 微带的电容分布 二、微带的特性阻抗 * 精确解 表1 空气微带Z01的Wheeler工作 二、微带的特性阻抗 * 缺点是k和几何中尺寸宽高比W/h是复杂的超越函数。 一般希望给出普通函数的近似解 二、微带的特性阻抗 * 宽带近似W/h1 二、微带的特性阻抗 * 二叶Rieman面法 第1 Rieman面 第2 Rieman面 二、微带的特性阻抗 * 三、Gupta的闭式工作 微带传输线的难于计算和查表问题使国外发展了与Computer、CAD相联系的闭式工作，也就是把场论复杂的结果用简要的Closed Form(称为闭式)表示，其目标是计算简单，精度高。 1. 分析工作 Gupta的工作分为分析和综合两大部分。 分析问题 * (23-8) (23-7) 三、Gupta的闭式工作 * 2. 综合工作 分析问题 首先判断参数A 当A＞1.52的窄带情况 (23-10) (23-9) 三、Gupta的闭式工作 * 当A≤1.52的宽带情况 其中 典型数据有?r=9.6，W/h=1，Z0=49.69 ?，?e=6.49。 (23-11) 三、Gupta的闭式工作 * 四、微带的衰减和Q值 1. 微带的衰减还是包括两部分，在小衰减情况下认为相互不交叉影响，有 a=ad+ac 其中，ad——介质衰减； ac——导体衰减。 (23-12) * 为了便于记忆上面公式还可以写为 出现的 原因也是由于局部加载所造成的。 其中 (23-13) 四、微带的衰减和Q值 * 导体衰减还是利用“增量电感法”。 (23-14) 具体方式导出比较复杂，可参见《计算微波》。 2. 微带Q值 ［定义］ (23-15) 所定义传输线端接匹配负载，即无反射波。 四、微带的衰减和Q值 * 因为，消耗能量=介质损耗+导体损耗，于是有 其中，QC——导体Q值，Qd——介质Q值。 和带线推导完全相似 (23-16) 四、微带的衰减和Q值 * 于是有 于是全部Q值是 这一公式在微带有源电路估计中十分有用。 (23-17) (23-18) 四、微带的衰减和Q值 * 五、微带工作频率限制 (23-19