厚膜电路工艺.docVIP

薄膜电路 在抛光的陶瓷基片、微晶玻璃基片或者Si基片上溅射电阻播磨和导电薄膜，经电镀、光刻、形成具有部分无源元件和导体电路的基片，贴装芯片和各种片状元件，键合无相连接成特定功能的电路模块。 电路元件：晶体管、二极管、电阻、电容、电感等以及引线。尺寸小于1um。 材料：金属半导体、金属氧化物、多金属混合相、合金、绝缘介质等 工艺：真空蒸发、溅射、电镀工艺。 各种材料： 基片：高频损耗（随温度和工作频率升高而增加）、介电常数（越大电路尺寸越小，利于集成，不利于加工）、表面光洁度（影响电路损耗，薄膜附着力，线条分辨率）、基片平整度和翘度（小于0.0001in/jn）、化学稳定性（微晶玻璃避免Ti/Pt/Au系统）、热膨胀系数、热导率、加工难度。 Al2O3陶瓷基片、 微晶玻璃 BeO基片 AlN基片 复合介质基片 75% 95-96% 99-99.5% 光敏微晶玻璃微波低端 粉末毒，适于高功率电路和有源器件热沉 太贵 聚四氟乙烯掺假陶瓷粉 ε 8.0 9.3 9.7 5.5-6 6.8-7.1 10 介质损耗 10*10-4 3*10-4 1*10-4 25.8*10-4 5-2*10-4 2*10-3 热导率W/m.K 12 21 33.5（37） 0.91 250 140-230 热膨胀系数CTE 7*10-6 7~11*10-6 2.65*10-6 光洁度 Δ12-Δ13 光洁度高、易于加工 主要尺寸mm 35*35*0.5，40*40*0.4， 30*60*0.8 35*35,38*38,40*40,厚0.3~0.4 加工： 超声波打孔 激光打光 优点 质量好、壁直、圆滑，可打陶瓷基片、微晶玻璃，最小0.5mm 位置精准、可编程、效率高，可打异型孔，尺寸可为0.2mm 缺点 定位差、效率低 设备贵。 清洗：去油去腊（甲苯、丙酮、乙醇超声5min以内），去金属离子（酸碱煮），水洗，乙醇洗、烘干。 金属层 用于多层金属化工艺，制备电路和元件 （1）电阻膜 TaN、NiCr合金及金属陶瓷 TaN（氮化钽） NiCr(80:20) 耐高温，有自然钝化层TaO，负电阻温度系数，电阻可调整 掺入微量Al Si Fe Au等电阻温度系数接近0。电阻率100μΩ.cm （2）导体膜 微薄损耗小（电阻和趋肤深度）、较高分辨率、基片附着力好、焊接能力好、耐候性好 金属 快金属电阻率 (μΩ.cm) 趋肤深度 f=1GHz(μm) 膜厚1000A方块电阻 (μΩ/() Ag 1.62 2.03 0.18 Cu 1.73 2.09 0.20 Au 2.44 2.49 0.27 Al 2.68 2.61 0.33 多层金属化系统： 常用系统 NiCr/Au系统 TiW/Au系统 TaN/TiW/Au系统 Cr/Cu/Ni/Au系统 TaN/TiW/Au/Ni/Au系统 特点 小于500A，目前2.5um,工艺简单、不适合高温，会降低与基片的附着力 小于500A, 1um无电阻，工艺简单，无高温扩散 不可焊锡 500A/4um/1um/500A Cu为导电层，Ni为阻挡层 电阻层/粘附层/导电层/阻挡层/防氧化可键合层 25~100Ω/ 300~ 500A / 0.5 ~ 7.6 um / 0.9 ~ 1.8 um / 0.5 ~ 2.5 um，良好高温性能，400~450℃稳定不扩散。 可焊PbSn,Au/Su NiCr(TaN)/TiW/Au层使用溅射工艺，电阻一致均匀性好 电镀金层（有氰电镀和无氰电镀） 工艺参数 镀液温度 PH值 电流密度 阴极移动速率 时间 55℃左右 6-7 0.5-1.0Ma/cm2 20-30次/分 根据实际情况 微晶玻璃基片金层厚度 大于2.5um 氧化铝陶瓷基片金层厚度 大于3.5um 光刻和制版 需要三层板 1负板、正胶 电镀成金条的部分要透光 正胶易做厚，去胶简单，形成的针孔小岛少，成品率高 2证板、正胶 保护镀金层，刻去溅射的金属 3正板、正胶 保护镀金层和电阻区，刻去溅射空白区的NiCr层，形成电路图形。 制板规范 线条粗细与镀层厚度有关 国外金条12um间距12um 电阻间距不小于130um，长度不小于50um宽度不小于50um　 划线槽宽　微晶玻璃片200um氧化铝陶瓷基片300um 退火 NiCr电阻膜退火温度325℃，时间15-20min, 使用温度250℃，1/2h TaN电阻膜退火温度400℃，时间1h，使用温度350℃，1/2h 组装 基片、元件、芯片、MOS电容、管壳 导电胶 主要使用导电环氧，电阻率 100-500μΩ.cm，导热率2-7W/m.K， 使用最高温度250℃，短时350℃。常用