精品第三单元：半导体双极器件(pn结器件).pptVIP

PN结正偏时，N区空穴分布： t=0 到 t=ts：在N区仍存在非平衡载流子，故pn两端的电压为正。 * N区在正向稳态时储存的空穴通过两个途径消失： *反向电路抽出 *电子空穴复合 随着少子的减少而越来越小 * * N区正向稳态时存储的电荷： 反向电压抽出的电荷总量： * 其它存储的电荷需通过复合消失： 通过求解空穴连续性方程： 解得开关二极管储存时间和下降时间： * 通过解依赖于时间的连续性方程： * * 二极管的开关速度主要由反向恢复时间 和下降时间决定。 反向恢复时间由正向电流、反向抽出电流 和N区少子寿命等因素决定。 减少寿命是提高开关频率的重要措施。 * * * 6.PIN二极管 PIN二极管是在P、N层之间增加了一本征层。由于I层能承受高的电压，故大功率二极管必须采用此种结构。 PIN二极管还用作微波开关、限幅和可变衰减器等。 1） PIN二极管的能带和电场 * * * * 理想PIN二极管的几点假设： （1）I区内载流子的迁移率和寿命保持不变； （2）电子和空穴有相同的寿命和迁移率； （3）??满足准中性条件， （4）在PI界面电流完全由空穴承担，在IN界面电流完全由电子承担。 A）?正向偏置状态 * *