高分子光化学(复旦大学） 九、光致抗蚀剂.pdf

第六章 光致抗蚀剂 Polymer Photochemistry 基本电子封装示意 Polymer Photochemistry 光刻过程示意图 1.光致抗蚀剂层 2.基材（包括氧化层） 3.掩膜 Polymer Photochemistry 1. 晶圆表面预处理（六甲基二硅胺) Polymer Photochemistry 2. 光刻胶涂布 Polymer Photochemistry 3. 去溶剂烘烤 Polymer Photochemistry 4.曝光成像 Polymer Photochemistry 5.显影硬烤 被去除，增加光刻胶的硬度及与晶圆的附着力。 Polymer Photochemistry Advanced Photolithography Advanced Photolithography Resolution IC Chip Photoresist [LS] [bit DRAM] 1) PR coating (PR) 0.80 μm G-line Si wafer (436nm) I-line hν 0.50 μm (365nm) 2) UV exposure 4~64M photomask 0.40 μm DRAM photochemical reaction 0.35 μm 0.25 μm DUV latent images