结构缺陷对量子波导腔中热导的调控.pdfVIP

物 理 学 报 ActaPhys．Sin． Vo1．60。No．11(2011) 116301 结构缺 陷对量子波导腔 中热导的调控冰 聂六英 李春先 周晓萍 程 芳 王成志 (长沙理T大学物理与电子科学学院，长沙 410114) (2010年 11月23日收到 ；2011年 1月 28日收到修改稿) 利用散射矩阵方法和标量模型，研究了低温下可调缺陷对量子波导腔的热导的影响．改变缺陷的参数能控制 热导，缺陷的尺寸和位置能导致热导的改变 ，而且不同种类的缺陷也能导致热导随温度的变化 ． 关键词 ：声学声子输运 ，热导 ，量子结构 PACS：63．22．+nl，44．10．+i，73．23．Ad 而 ，实验表明热导随温度的增加在低温区出乎意料 1．引 言 地减小 ，量子化平 台并没有出现．量子化热导平台 仅在理想的一维量子线中出现．对于那些不连续的 近年来 ，随着纳米技术 的不断进步 ，制造各种 量子结构，或者在主量子波导中存在对声子有散射 纳米尺度量子器件成为可能．尺寸与电子平均 自由 作用 的 区域 ，如 突变 结 ，表面粗糙 的量 子 程相 比拟 的介观系统 的电子输运在 实验和理论 中 线 ，含 结 构 缺 陷 的 量 子 线 ，侧 端 结 都比较广泛地研究 了．在器件设计 中，尺寸效应对 构 卜 ，不光滑连接 等，量子化热导平台不会 器件 的热导率的影响很重要 ’．相比之下 ，纳米尺 出现 ． 度热输运 ，尤其是低温下的热输运 ，研究得还不是 在本文中，基于标量模型 ，我们研究结构缺 很多．对于极低温度的半导体，热输运主要来 自于 陷对量子波导腔 中热导的调控．标量模型已经应用 声子的贡献．在低温条件下，热输运 的实验观察和 到很多纳米 结构 的声学声子输运和热导 的计算 评价都很难进行．随着纳米科技的进步，在实验上 中 ，” ” ．Joe等 研究了含可控杂质的量子 研究纳米尺度弹道系统 中的热输运是可行的． 盒中电导 ，发现由于干涉效应导致 电导 出现振荡． 在半导体纳米结构 中热导是一个重要 的参量． Chen等 研 究 了结构缺 陷对纳米线 中热导 的影 近年来 ，发展新的纳米仪器用来探测纳米尺度范 围 响．在本文中，我们讨论量子波导腔 中的结构缺陷 内的热导的基本性质受到了越来越多的关注．各种 对热导的调控． 纳米结构如超 晶格 ，纳米线 ，一维链 ” ， 纳米管 ，量子阱 ，石墨 ，。等 ，热导 的研 2．理论模型和公式 究取得 了引人注 目的成果．电子元器件的尺寸在不 断减小，导致器件每单位面积散发 的热量在增加是 在弹道区，热导由下式表示 ： 介观系统 中声学声子热输运受到关注的主要原 因 之一．纳米线结构尤其受到重视 ，原因在于低温下 K = 寿 ， ㈩ 一 维量子线中声子 的热导是量子化的．理论上 ，一 求和包括结构 中所有 的输运模 m，r (∞)代表透射 些研究者推导出低温下弹道热输运 的热导表达，发 系数．考虑如图 1所示模型结构．该模型结构分为 现温度 一0时 ，热导 由截止频率为零 的最低模决 I—V五个区域．I区和V区的宽度为W ，1I区和 定 ，与结构无关，并且量子化单元为 盯kT／3h ． Ⅳ区的宽度为 + + ，nl区为杂质区．对于三维 实验上 ，Schwab等 证