闪锌矿GaN弹性性质、电子结构和光学性质外压力效应的理论研究.pdfVIP

物 理 学 报 ActaPhys．Sin． Vo1．60，No．11(2011) 117103 闪锌矿 GaN弹性性质、电子结构和光学性质 外压力效应的理论研究木 焦照勇 杨继飞 张现周 马淑红 郭永亮 (河南师范大学物理与信息工程学院，新乡 453007) (2010年 12月28日收到 ；2011年2月 10日收到修改稿) 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势方法 ，结合广义梯度近似(GGA)下的RPBE和局域密 度近似 (LDA)的 CA-PZ交换-关联泛函对 闪锌矿结构 的 GaN在高压 的性质进行 了系统研究 ．计算结果表 明：弹性 常数、体模量 、杨氏模量和能隙都具有明显的外压力效应 ，计算结果与实验值和理论值很好 的符合．同时利用计算 的能带结构和态密度系统分析了GaN的介电函数、折射率、反射率 、吸收系数和能量损失函数等光学性质及其外压 力效应．分析结果为 GaN的设计与应用提供 了理论依据． 关键词 ：第一性原理计算 ，电子结构 ，光学性质 ，闪锌矿 GaN PACS：71．15．Mb，71．20．一b，71．20．Nr 闪锌矿结构 的GaN在高压下的性质进行 了系统研 究．并对其弹性性质 、电子结构和光学性质在高压 下的变化趋势进行 了探讨． 宽禁带半导体材料近年来发展十分迅速 ，成为 第三代 电子材料 ，主要包括 ZnSe，SiC，GaN等 ，其 2．理论模型与计算方法 中，具有直接带隙的氮化镓 (GaN)备受关注．GaN 具有禁带宽度大 、介 电常数小、高热导率、高发光效 闪锌矿氮化镓 (GaN)是Ⅲ一V族半导体化合物 ， 率、耐高温 、抗辐射、耐酸碱 、高强度和高硬度等特 呈现面心立方 (fcc)结构 ，空间群为 F一43m，晶面角 性，因此非常适合于制作抗辐射 、高频率、大功率和 Ot=／3= =90。，Ga原子形成边长为 a的面心立方 高密度集成 的电子器件 ¨’．除此之外 ，GaN晶体 结构，N原子在其 内部形成边长为 √2o／2的四面体 管可以提供较好的线性功率和效率 ，可以应用在广 结构．原子在晶胞中的位置坐标为 Ga(0，0，0)和 N 播电视、无线基础设施 、高功率雷达、电子对抗等． (0．25，0．25，0．25)． 目前对 GaN半导体材料 的研究主要集 中在关 本研究计算方法是基于密度泛函理论下的第 于 GaN薄膜的表面吸附及掺杂问题 ，而且研究 一 性原理平面波赝势从头算量子力学方法 ’．采 以纤维锌矿结构 GaN居多．对闪锌矿 GaN的研究 用总能量平面波赝势方法 ，电子波函数通过平面波 以常压或零压下的电子结构和光学性质为主．据我 基组展开 ，电子与电子之间相互作用 的交换．关联泛 们所知 ，对极限条件下 GaN的性质 ，如高压 下闪锌 函分别采用广义梯度近似 (GGA)下的RPBE 和局 矿 GaN的弹性性质、电子结构及光学性质的系统研 域密度近似 (LDA)下的CA—PZ．收敛性检验表 明， 究鲜见报道． 平面波截止能量选为 1000eV和 14×14×14的k 本文中我们采用基于密度泛 函理论 的平面波 空间取样密度已经能够保证总能的收敛 ，优化迭代 赝势方法 ，选择广义梯度近似 (GGA)下 的 RPBE和 过程中每个原子能量收敛精度为 1．0×10一eV，每 局域密度近似 (LDA)下的 CA—PZ交换．关联泛 函对 个原子 的应力不大于 0