薄膜材料与技术-6 课件.pdf

薄膜材料与技术 （6 ） 李美成 2006秋季学期 1 1 第六章离子镀膜法 6.1 离子镀原理 6.2 离子镀的特点 6.3 离子轰击的作用 6.4 离子镀的类型 薄膜材料与技术 薄膜材料与技术 2 2 离子镀膜技术（简称离子镀，Ion Plating，简称 IP ）美国Sandia公司的D.M. Mattox于1963年首 先提出。 在真空蒸发和真空溅射技术基础上发展的镀膜技 术。在真空条件下，应用气体放电实现镀膜，即 在真空室中使气体或被蒸发物质电离，在气体离 子或被蒸发物质离子的轰击下，同时将蒸发物或 其反应产物蒸镀在基片上。 离子镀结合辉光放电、等离子体技术与真空蒸发 技术，不但显著提高了沉积薄膜的各种性能，而 且大大扩展了镀膜技术的应用范围。 与蒸发镀膜和溅射镀膜相比较，除具有二者的特 点外，还特别具有膜层的附着力强、绕射性好、 可镀材料广泛等一系列优点。 薄膜材料与技术 薄膜材料与技术 3 3 6.1 离子镀原理 当真空室抽至10-1Pa的高真空后，通入惰性气体（如 氩），使真空度达到1 ∼ 10-1Pa。 接通高压电源，则在蒸发源与基片之间建立起一个低 压气体放电的等离子区。 由于基片处于负高压并被等离子体包围，不断受到正 离子的轰击，因此可有效地清除基片表面的气体和污 物，使成膜过程中膜层表面始终保持清洁状态。 镀材气化蒸发后，蒸发粒子进入等离子区，与其中的 正离子和被激活的惰性气体原子以及电子发生碰撞， 其中一部分蒸发粒子被电离成正离子，正离子在负高 压电场加速作用下，沉积到基片表面成膜。 薄膜材料与技术 薄膜材料与技术 4 4 离子镀膜层的成核与生长所需的能量，不是靠加 热方式获得，而是由离子加速的方式来激励的。 被电离的镀材离子和气体离子一起受到电场的加 速，以较高的能量轰击基片或镀层表面，这种轰 击作用一直伴随着离子镀的全过程。 由于基片是阴极，蒸发源为阳极，通常在两极间 有1~5kV 的负高压，因此，在膜材原子沉积过程 的同时，还存在着正离子（Ar+ 或被电离的蒸发 离子）对基片的溅射作用。显然，只有当沉积作 用超过溅射剥离作用时，才能发生薄膜的沉积过 程。 薄膜材料与技术 薄膜材料与技术 5 5