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薄膜材料与技术-8 课件
薄膜材料与技术
(8 )
李美成
2006秋季学期
1
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第八章分子束外延法
8.1 分子束外延简介
8.2 分子束外延生长的特点
8.3 分子束外延的装置
8.4 分子束外延的原理和方法
8.5 分子束外延生长的应用
薄膜材料与技术
薄膜材料与技术 2
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8.1 分子束外延简介
所谓“外延”就是在一定的单晶体材料衬底上,
沿着衬底的某个指数晶面向外延伸生长一层完
整的单晶层的制膜方法。若外延层与衬底材料
在结构和性质上相同,则称同质外延。
Epi: from the Greek for upon
Taxis: from the Greek for to arrange
Epitaxy: the growth on a crystalline
substrate of a crystalline substance that
replicates the crystal structure of the
substrate
在1969年由贝尔(Bell )实验室的J.R. Arthur
命名的。
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薄膜材料与技术 3
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外延单晶薄膜在纯度和性能上有可能比体单晶
材料有明显的改善,而且可以制造很难用其他
方法制造的大面积或特殊材料的单晶薄膜。
此外,外延单晶工艺可以把材料制备和器件制
造工艺统一,有利于提高器件的成品率和稳定
性,并为研制新的电子器件提供了新的途径。
近30年来发展了气相外延、液相外延和分子
束外延。
分子束外延生长法( Molecular Beam
Epitaxy,MBE)是一种新的主要用于开发III-
V族半导体的外延生长法。
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薄膜材料与技术 4
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在超高真空条件下精确控制原材料的中性分子细
流即分子束强度,把分子束射入被加热的基片上
而进行外延生长的。
就方法而言,分子束外延生长法是属于真空蒸镀
方法。由于其蒸发源、监控系统和分析系统的高
性能和真空环境的改善,分子束外延法优于液相
外延生长法、气相外延生长法。
它不同于过去真空蒸镀的是能够得到极高质量的
薄膜单晶体。从这一意义上说,分子束外延生长
是以真空蒸镀为基础的一种全新的晶体生长法。
可用来制备现有的大部分器件,而且也可以制备
许多新器件,包括用其它方法根本不能实现的。
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