课件第6章 ga在sio2si结构下的开管掺杂.pptVIP

6.4 Ga基区晶体管6.4.1 Ga基区晶体管的制备及其电学性能 1．Ga基区晶体管的制备 Ga基区晶体管的制作流程为：硅片清洗→一次氧化→开管扩镓形成基区（低浓度掺杂→结深推移→高浓度掺杂）→一次光刻磷发射区→磷扩散→后同常规，制备出NPN高反压晶体管。 2．Ga基区晶体管的综合电学性能 电学参数具有良好的一致性和重复性，针对高反压晶体管存在的问题，解决并提高了产品合格率、提高了反压水平、改善了电流特性，达到优质、高产、低耗之目的，为我国的高压器件开辟了一条新的制备途径。 * Ga基区晶体管最突出的优势在于，在保证其他参数优良的前提下，显著提高了器件的耐压水平。其主要机理为： （1） Ga的线性缓变结 利用开管扩镓技术其掺杂浓度随意可调、任意组合的优势，在制备基区时，首先进行低浓度掺杂和结深推移相结合，在PN结前沿形成缓变式杂质分布，如图所示。 Ga基区缓变式杂质分布 * （2） SiO2对重金属的屏蔽 Ga扩散晶体管具有高电压的原因还应归于SiO2薄层的覆盖。因SiO2薄膜可以较好地屏蔽重金属杂质（Au、Fe、Cu等）的扩散，因为它们在SiO2中表现为慢扩散特性（例如在1200℃下，重金属在SiO2中的扩散系数约为10-14cm2/s，而同温度下在硅中的扩散系数约为10-6cm2/s），最大程度地减少了由重金属原子造成的复合中心密度，使反