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8051系列微机控制器对瞬时故障的容错能力的合成 本篇论文所要讲述的是一种8051故障监测的实现，以及可以用来针对单个事件扰动（SEU）的特殊瞬时故障来设计健全的8051微机控制器的纠错技术。对于在微机控制器运行中SEU的影响，已经有具体的研究了。而且，在8051的版本中，容错技术也得到了实现。在FPGA环境中，规定了容错微机处理器的标准的VHDL描述，而且根据区域的费用，保护级别和运行损失，对容错微机处理器的结果展开讨论。 1.介绍 得利于在微电子中技术不断的改进，现在已经可以制造出非常复杂的电路，来代替电路板，甚至是过去80年代的计算机。如今，由于微电子的发展，传统的应用设备变得越来越便宜，可靠，而且大范围的新的应用通过利用嵌入式系统，拥有了集成设备的优势。在所有情况下，微电子设备的结构主要基于数据处理器，例如，微控制器或DSP处理单元。 半导体尺寸的不断减小，以及其电特性的下降，使微电子设备对周围环境（电离辐射，磁场扰动等）越来越敏感，而这些环境因素，在以前是可以认为很小或忽略的。特别的，在空间中运行的数字电路有着不同的辐射。另外，像一些地球应用的问题也被检测出存在影响，如航空电子系统。 辐射效应可以是长久的，也可以使暂时的。由于受困于硅，氧化物界面的微粒而引起永久性故障，只有在长期暴露于辐射之后才会出现。暂时性故障可能是由于在电路敏感区域中单个带电粒子的影响引起。 依据受影响的位置，有两种SEE,即SEL和SEU。SEL是在电路当时没有关断的情况下，因寄生晶闸管的触发而引起短路，致使热效应破坏组件而导致。SEU是由于在集成电路中存储的位信息，出现称之为压折或位变化的瞬时变化而引起。通过一些已有的CMOS技术，例如，批量CMOS处理，可以将总电离量（TID）和单个闭锁情况（SEL）的影响降低到可接受的水平。但是，SEU所表现出的由于辐射导致的障碍，在空间应用，尤其是在高密度，亚微米集成电路中，却是较难避免的。在本篇文章中，我们只谈论SEU故障。SEU故障的结果取决于被扰动的信息的性质，或者只是产生错误结果，或者甚至导致系统崩溃。例如，像DSP处理器，微控制器的电路，其对SEU的敏感性主要与其内部用到的大量的存储器相关。 在这种情况下，电路能够抵抗辐射效应的这一需要是非常明确的，这主要是因为电路运行过程中，一个故障可能就意味着数以百万计的美元和多年的工作的流失。再者，在电路发生故障之前，了解到故障容错技术的效率是极其重要的。 本篇论文主要目的是调查快速模型设计以使技术增强的效率，这主要以通用处理器的结构为焦点。所推荐的技术主要是基于错误监测和纠正能力所包含的内容。英特尔的8051，作为较为熟知的有精简指令系统的微控制器，选作为研究对象。这个选择的原因是由于这种微控制器被广泛的应用于实际。本篇论文由以下结构组成：第二部分，重新审视一些相关工作。第三部分，通过一种能模拟真实SEU故障的工具来展现出在微控制器中瞬时故障的影响。在第四部分，展现了一种增强的8051微控制器。在第五部分，讲述了对于在真实环境中会被检测到的容错电路的模型实现的一些思考。第六部分，总结并讨论未来工作。 2．相关工作 针对瞬时故障的容错设备的实现方法可以存在于设备处理的不同阶段。缓解方法可以分为：电路级别，这种级别需要用到特定的技术处理；设计级别，这种级别的逻辑机构需要随之完成对SEU的防御；系统级别，这需要在软件中进行修改。 为了防止SEU，一些像IBM的微控制器制造商，在SOI技术中提出了设计微控制器的方案。但是，其仍然比较昂贵。 在设计级别的方法，像三重模块冗余技术，已广泛的应用于对付瞬时性错误，在随意逻辑中应用更为广泛。但这一方法的缺点是导致了区域费用。 EDAC在过去几年里已经被用来增加存储器的可靠性。这些技术包括奇偶校验和汉明代码。一些研究显示了在状态机中用EDAC来代替用冗余触发器的性能。在以前的工作中没有发现对保护完整微机控制器中用EDAC技术。相关的工作限制到了仅在内部存储器中应用监测与纠错技术。 3.SEU 在8051微机控制器中的影响 因为在涉及到花费，所占区域，性能和软件法规遵从性方面因素时，8051微控制器是个不错的选择，所以有许多实际应用都是基于此类控制器的。为了能够实现有效的容错技术，对在电路中的故障位置和SEU故障影响的精确检测是很必要的。通过在标准8051中现有的硬件中进行注入可控故障的实验，这种检测便可以得到实现。在实验中，微控制器执行一个设计好的程序，其旨在提供一种能够使电路受到SEU影响的最糟糕的条件。事实上，所选的程序，一个同时有操作数和结果矩阵的6*6的矩阵乘法，占用了大部分的内部存储空间，这就使得其容易产生SEU故障。 3.1 THESIC检测器的基本原理 在微控制器在操作系统发挥作用之前，在一