精选重庆大学模电(唐治德版)第6章 半导体二极管及其应用电路.pptVIP

6.4.3 分段线性模型法 二极管的分段线性模型有理想模型、恒压降模型和折线模型。 理想模型 （d）反向偏置模型 （a）伏安特性逼近 （b）代表符号 （c）正向偏置模型 　　当实际二极管所在回路的电压远大于正向导通电压（通常是两者之比大于10）时，可采用理想二极管模型。 * 2．恒压降模型 　　恒压降模型：伏安特性等效为一个理想二极管与一个直流电压源Von的串联。 小功率硅管的Von≈0.6～0.8V，通常取固定值0.7V； 小功率锗管的Von≈0.2～0.3V，通常取固定值0.2V。 当实际二极管所在回路的总电阻（不含二极管）远大于二极管的导通电阻（通常是两者之比大于10）时，可采用恒压降模型。 * ３.折线模型 折线模型:伏安特性等效为一个理想二极管、一个直流电压源Vth和一个电阻串联rD。 硅管的Vth约为0.5V，锗管的Vth约为0.1V； rD称为导通电阻，设二极管导通电压对应的电流为Ion，则导通电阻rD近似为： 　　当实际二极管所在回路的总电阻（不含二极管）与导通电阻相当（通常是两者之比小于10）时，可采用折线模型。 * 例6.4 已知二极管的伏安特性曲线如图中(a)的粗实线所示，试用分段线性模型求图(b)电路中二极管的电流和电压并比较误差。 解：由图可知，二极管是硅管，且承受正向电压。 (1)采用理想模型计算 例１：Q的坐标是（0.75，0.85） 与图解法的