用作硅基微型声传感器的Si3N4SiO2双层驻极体膜微型化后的电荷稳定性.pdfVIP

用作硅基微型声传感器的S13N4/S102双层驻极体膜微型化后 的电荷稳定性 ‘ 年肋林’，朱伽倩’，夏钟福’，沈绍群2，张冶文 ‘ (1，同济大学波耳固体物理研究所，上海市200092;2.复旦大学 电子工程系，上海市200433) 摘 要，通过平面工艺和徽机械加工技术将硅基 境温度为200C和相对湿度为60%-WA，而高沮 S切fSi02双层肚极体膜创作成2mm2ma、的小 ET(elevatedtemperature)指温度为 125℃，高湿 片，通过电晕充电及等注表面电位衰减侧全，考察 EH(elevatedhumidity)指相对湿度93%. 了徽型化对材料的电苛储存德定性的影响.研究材 抖在模拟的高遇常沮、常滋高注忍劣储存环境 2 实 验 (E7=1251:,EFF--93%)中的电待德定性.同时对 比考察了HMDS和DCDMS两种不同化学表面修正 本实验中所用基片是100》晶向、单面抛光、电 试剖对材料电荷储存德定性的影响._ 阻率在3-8D-cm、厚度m0251 左右、直径约为Scm. 关键词:Si,N,1Si0,o徽型化;幽荷储存箱定性;化 基片通过在 1150℃和受控条件下热湿生长成 450nm 学辆修飞 厚的完全非晶态Si仇，及LPCVD法生成 150nm厚 的Si沁双层膜 ·具体工艺如下: 1 引 言 基片准备一一清洗一一热湿生长氧化层 (OS), 一一LPCVD生成S,N,薄膜一一用HF腐蚀掉背面 由子无机材料驻极体在受控条件下具有电荷储 氧化层一一背面燕被铝.从而形成了Si,N,ISio,双层 存寿命长.抗恶劣环境.可微型化等优点。近20年 膜.实验中所用的2mmX2mm的双层驻极体膜小片 来，无机材料驻极体的研究得到嘱目的发展并取得 样品是利用削角补偿工艺将上述方法制备的试样刻 了长足的进步。以非晶态SiO2为典型代表，包括 蚀而成，大片则是指将试样沿相互垂直以径向切创 Si凡、从仇、白云母、玩。，等无机抓、权化物已 成四份扇形体所得的样品。 成为驻极体材料和传感器研究的新兴领域. 小片和大片样品或者直接在特定温度下进行栅 近年来，对Si0=薄胭鹤主极体的电荷储存机制已 控恒压正负电.充电或者先经过HMDS(Hexamethyl 开展较系统的研究，然而、热湿氧化的Si0=薄膜驻 disilazane，六甲基二硅胶烷)或者DCDMS(Dichlordi- 极体存在两大缺点.即表面的亲水性和硅基热湿氧 methylsilan,=抓二甲基硅烷)的化学表面修正屁再在 化Si0,薄膜内较高的压应力。针对这两个缺点，人 同样条件下充电·充电条件:沮度r-uo0c.橱压凡 们采用在 i仇材料表面沉积一层呈硫水性及具有较 =-20OV,针压称=一lOkV，充电时间30min，样 高张应力的非晶态抓化硅薄腹，以提高材料的电荷 品充电后在不同的条件中储存，每隔一段时间取出 毯定性，同时实现应力补偿。研究结果Irl指出这种 用补偿法 (Lsoprobe,ElectrostaticVoltmeter,244, Si,N声i02双层驻极体腆是一种新型复合驻板体材 USA)Mlt其表面电位. 料。当选择适当的厚度比(S,N,IS几=1:2.9),可 以将材料的内应力降低一个数f级，同时，Si,N,又 3结果及讨论 起到了隔离保护层的作用，改替了材料的电荷稳定 3.1尺寸效应对驻极体薄琅电有毯定性的影晌 性和抗恶劣环境能力。本文从实际应用角度出发， 驻极体材料的横向表面电导是影响其电荷往定 研究了将其撤型化后的电菊储存挽定性。文中常温 常湿