精选微电子工艺课件chapter 11(zhang).pptVIP

第十一章 淀积—11.5.1 介电常数 * 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 .5 1.0 1.5 2.0 Feature size (mm) Delay time (′10-9 sec) Interconnect delay (RC) Gate delay 第十一章 淀积—11.5.1 介电常数 * Capacitance (10-12 Farads/cm) 7 6 5 4 3 2 1 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 Space (mm) K = 4 K = 3 K = 2 K= 1 第十一章 淀积—11.5.1 介电常数 * Low-k Dielectric Film Requirements 第十一章 淀积—11.5.1 介电常数 * 局部氧化（LOCOS）： 采用图形化的Si3N4岛来定义氧生长的区域，但是对于深亚微米器件，隔离结构尺寸过大（氧的侧向生长—鸟嘴）。 浅槽隔离（STI）： 1、更有效的器件隔离； 2、表面积小； 3、超强的闩锁保护能力； 4、对沟道没有侵蚀； 5、与CMP工艺兼容。 第十一章 淀积—11.5.2 器件隔离 * 第十一章 淀积—11.5.2 器件隔离 * 旋涂玻璃（SOG）：有机物基于硅氧烷，无机物基于硅酸盐。 第十一章 淀积—11.6 旋涂绝缘介质 *