课件第4章 晶体二极管及其基本电路.pptVIP

其上、下门限分别为： UoH =UZ+UD UoL =-(UZ+UD) 　　输出电压的限幅电路： * 可见，只要调节电位器动臂的位置，使充、放电时常数不等，则占空比可调。但振荡周期（频率）保持不变。 占空比D可调的方波振荡器 显然，上述电路由于T1=T2，T=2T1， 所以D=0.5 如果要求占空比可调: D定义为高电平时间T1与周期T的比值， 即 * 如动臂向上移动时： T1T2，D0.5 * 锯齿波产生器（三角波转换为锯齿波） * 作业： p150 4-10， 4-11(b), 4-13, 4-14, 4-15。 * 　　　 1-5　其它二极管简介 一、变容二极管 如前所述，PN结加反向电压时，结上呈现势垒电容，该电容随反向电压增大而减小。利用这一特性制作的二极管，称为变容二极管。它的电路符号如图所示。它的主要参数有：变容指数、结电容的压控范围及允许的最大反向电压等。 * 二、肖特基二极管 当金属与N型半导体接触时，在其交界面处会形成势垒区，利用该势垒制作的二极管，称为肖特基二极管或表面势垒二极管。它的原理结构图和对应的电路符号如图所示。 N 型 半导体 ( a ) 金属 ( b ) + + + + + + + + + + + + * 三、 光电二极管 光电二极管是一种将光能转换为电能的半导体器件，其结构与普通二极管相似，只是管壳上留有一个能入射光线的窗口。图示出了光电二极管的电路符号，其中，受光照区的电极为前级，不受光照区的电极为后级。 前级 后级 * 四、发光二极管 发光二极管是一种将电能转换为光能的半导体器件。它由一个PN结构成，其电路符号如图所示。当发光二极管正偏时，注入到N区和P区的载流子被复合时，会发出可见光和不可见光。 * 作业： p21 1-9, 1-10, 1-11, 1-12 返回 * 小 结 1. 本征半导体：无掺杂的纯净的单晶半导体。ni=pi 2. N型半导体：在本征半导体中掺入五价元素。 ppnp 空穴为多子，电子为少子 nnpn 电子为多子，空穴为少子 3. P型半导体：在本征半导体中掺入三价元素。 4. PN结的形成 内电场 U P N - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + B 空间电荷区 PN结正偏时导通，反偏时截止。 5. PN结的单向导电特性　 * 正向偏置 反向偏置 i i u 0 u 0 PN结电流方程 PN结伏安特性 PN结击穿 * u / V 0 i / mA 10 20 30 － 5 － 10 － 0. 5 0.5 - + i u 在分析二极管电路时，必须首先判断管子是正偏导通还是反偏截止。然后用相应模型等效来分析电路。 复 习 小 结 二极管大信号电路模型　　 * 4.3.3　二极管的电路模型 　　 对电子线路进行定量分析时，电路中的实际器件必须用相应的电路模型来等效，根据分析手段及要求的不同，器件模型将有所不同。例如，借助计算机辅助分析，则允许模型复杂，以保证分析结果尽可能精确。而在工程分析中，则力求模型简单、实用，以突出电路的功能及主要特性。下面我们依据二极管在大信号工作的条件下，引出工程上便于分析的二极管模型。　　 二极管是一种非线性电阻(导)元件，在大信号工作时，其非线性主要表现为单向导电性，而导通后所呈现的非线性往往是次要的。 * UD(on) =(0.5~0.6)V 硅管 UD(on) =(0.1~0.2)V 锗管 二极管的伏安特性 u / V 0 i / mA 10 20 30 － 5 － 10 UD(on) * 作业： p147 4-2， 4-4, 4-6, 4-7, 4-8(b, d, e, f), 4-9。 * 4.动态电阻rZrZ是稳压二极管在击穿状态下，两端电压变化量与其电流变化量的比值。反映在特性曲线上，是工作点处切线斜率的倒数。 rZ随工作电流增大而减小。 rZ的数值一般为几欧姆到几十欧姆。 5.温度系数α α是反映稳定电压值受温度影响的参数，用单位温度变化引起稳压值的相对变化量表示。通常， UZ 5V时具有负温度系数(因齐纳击穿具有负