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第一章　半导体器件 电子电路中，所有元器件可分为两大类：　　 　　１、无源器件：电阻(Resistor)、电容(Capacitor)、电感(Inductor)和二极管(Diode)。仅由无源器件构成的电路不能实现电信号的放大。 　　２、有源器件：晶体管(Transistor)，是所有放大电路的核心器件。从参与导电的载流子类型上又可以分为双极和单极两类器件： 　　１）双极晶体管(Bipolar Transistor)，习惯简称三极管或晶体管。 　　２）场效应晶体管(Field Effect Transistor,)，从结构上又可分为： 　　　　　a)　MOSFET（金属—氧化物—半导体场效应晶体管） b)　JFET　（结型场效应晶体管） １、半导体(Semi Conductor)材料的特性。 　　半导体：导电性能介于导体和绝缘体材料之间的材料。 　　单质元素半导体只有硅(Si, Silicon)和锗(Ge, germanium)两种材料。 4.1.1 N沟增强型 1) 器件结构 沟道宽度W：源漏区的宽度。 沟道长度L： 源漏区的间距。 MOS管的重要结构参数宽长比：W / L 。 在一定的工艺下，宽长比是器件设计者唯一可改变的物理参量，去控制MOS管的电学性能。 2） MOS管的工作原理 利用“感应电荷”来控制MOS管的导电。 　　MOS管的三层结构相当于一个平板电容，当改变栅压时可以改变电容电荷量。 (1) “反型层”的形成机制　 　　将S、D接地，在栅、源之间加上一个正向偏压VGS。 a. 当VGS = 0时，源漏之间有一个n+pn+结构存在，因此源漏之间不能导通。 　　b) 当VGS 0，但是VGS较小时，栅下产生一个电场，形成耗尽区，S、D之间依然不能导通。 　　该电场“排斥”空穴，“吸引”电子。 　　c) 当VGS足够大时，将有足够多的电子被“吸引”而聚集在栅下，形成一个电子的薄层，称“反型层”，也叫“沟道”，此时源漏之间连通。 * * 编者： 潘飞蹊 （深圳大学工程技术学院） 硅：IV族元素，原子序数14，外层电子轨道分三层，分别有2、8、4个电子，最外层价电子数为4。 　　单晶硅：硅外层电子和其它硅原子的电子形成共价键，有序排列起来，就形成晶体硅。 EV：价带 EC：导带 Eg：禁带 EF：费米能级 Ei：本征能级 硅单晶中原子的有序排列，形成能带结构。 室温下不同半导体 材料的禁带宽度（Eg） Si 1.12ev Ge 0.66ev GaAs 1.42ev 不含有杂质的纯净半导体材料称本征半导体，在能带结构中没有其它的能级。 1.1 本征半导体 本征半导体的导电能力很弱。 1）在T = 0K时，半导体不导电，同绝缘体一样。 2）在T = 300K时，Si 的电阻率为2.3 ? 105 ??cm ，Ge为47 ??cm 本征半导体的导电机制： 1）热运动使少量的共价电子摆脱束缚，成为可以在晶格中自由运动的“自由电子”参与导电。 2）断裂的共价键处留下一个带正电的“空穴”，其它共价键上的电子可以填补“空穴”，在宏观上““空穴”也可以自由运动，参与导电。 ”电子“和”空穴“统称载流子 复合：电子和空穴相遇时消失。 在热平衡状态下，”电子“—”空穴“对的产生和复合作用达到一个平衡，宏观上有一定浓度的”电子“—”空穴“对存在，这些载流子称本征载流子，记为ni。 1.2 掺杂半导体 在半导体材料中引入特定的杂质，可以改变材料的性能。 1）N(Negative)型半导体 在半导体材料中引入P、As、Sb等V族元素。 2）P(Postive)型半导体 在半导体材料中引入B、Al、Ga、In等III族元素。 P原子最外层有5个价电子，占据晶格位置后4个电子与硅原子形成共价键，多余的一个电子成为”自由电子“，可以参与导电。 P原子掺入硅中后，在禁带中靠近导带底部引入了浅能级，这些浅能级中的电子很容易激发到导带中去，形成“自由电子”，参与导电。 B原子最外层有3个价电子，占据晶格位置后3个电子都与硅原子形成共价键，周围的硅原子有一个电子无法形成共价键，留下一个带正电的“空穴”，可以参与导电。 B原子掺入硅中后，在禁带中靠近价带顶部引入了浅能级，价带中的电子很容易激发到这些浅能级中去，从而在价带中留下带正电的“空穴” 参与导电。 　　在N型硅中，V族元素称“施主”杂质，代表放出“电子”，此时材料中电