开态应力下电压和电流对AlGaNGaN高电子迁移率晶体管的退化作用研究.PDFVIP

开态应力下电压和电流对AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管的退化作用研究 石磊 冯士维 石帮兵 闫鑫 张亚民 Degradation induced by voltage and current for AlGaN/GaN high-electron mobility transistor under on- statestress ShiLei FengShi-Wei Shi Bang-Bing YanXin ZhangYa-Min 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,127303(2015) DOI: 10.7498/aps.64.127303 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.127303 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I12 您可能感兴趣的其他文章 Articles youmaybeinterestedin 阶梯氧化层新型折叠硅横向双扩散功率器件 New folding lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistor with the step oxide layer 物理学报.2015,64(6): 067304 /10.7498/aps.64.067304 新型缓冲层分区电场调制横向双扩散超结功率器件 Newsuperjunctionlateraldouble-diffusedMOSFETwithelectricfieldmodulationbydifferentlydopingthe bufferedlayer 物理学报.2014,63(24): 247301 /10.7498/aps.63.247301 具有N型缓冲层REBULFSuperJunctionLDMOS NewREBULFsuperjunctionLDMOSwiththeNtypebufferedlayer 物理学报.2014,63(22): 227302 /10.7498/aps.63.227302 SnO /p -Si异质结器件的电致发光：利用TiO 盖层提高发光强度 Electroluminescence from SnO /p Si heterostructured light-emitting device：enhancing its intensity via cappingaTiO film 物理学报.2014,63(17): 177302 /10.7498/aps.63.177302 GaNHEMT欧姆接触模式对电学特性的影响 EffectofdifferentohmiccontactpatternonGaNHEMT electrical properties 物理学报.2014,63(11): 117302 /10.7498/aps.63.117302 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 12 (2015) 127303 开态应力下电压和电流对AlGaN/GaN 高电子 迁移率晶体管的退化作用研究 石磊 冯士维 石帮兵 闫鑫 张亚民 (北京工业大学电子信息与控制工程学院, 北京 100124) ( 2014 年12 月10 日收到; 2015 年1 月30 日收到修改稿) 通过采集等功率的两种不同开态直流应力作用下AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMTs) 漏源电流 输出特性、源区和漏区大信号寄生电阻、转移特性、阈值电压随应力时间的变化, 并使用光发射显微镜观察器 件漏电流情况, 研究了开态应力下电压和电流对AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管的退化作用. 结果表明, 低 电压大电流应力下器件退化很少, 高电压大电流下器件退化较明显. 高电压是HEMTs 退化的主要因素, 栅漏 之间高电场引起的逆压电效应对参数的永久性退化起决定性作用.