钨铜电子封装材料的研制.pdf

．479． 钨铜电子封装材料的研制 仲守亮张德明宁超丁达荣 (上海材料研究所上海200437) 摘要简述了钨铜合金理论计算性能参数以及研制钨铜合金的工艺。在此工艺条件下，样品获得的性 能数据。 关键词钨铜舍金电子封装材料性能 l 1i言 钨铜要合材料由于具有低膨胀系数及高的导热性，并且嘭胀系数及导热系数可调节，因此在集成电路 的封装及热沉得到了广泛的应用。国内外对此进行了大量的研究。钨铜电子封装材料不同于一般的钨铜电 0 工台金，萁热膨胀系数必须与半导体芯片相匹配(d≤7 ppm／K)，其钨含量要高达80—90％。由于电子器 保证材料蠢好的散热性能，必须严格控制材料中的杂质含量。首先，钨铜电子封装材料可以根据设计的需 要来达到叠求的性能参数，如热膨胀系数及导热系数；其次，钨铜电子封装村料要求有较高的气密性，要 求接近致暑化。另外，要求成品尺寸稳定，加工性好，可制成各种复杂形状的零件。因此，高性能的钨铜 电子封装要合材料制各技术难度大，工艺过程复杂。 目前，世界上只有美国、’日本、奥地利等少数国家可咀批量生产。有关公司产品性能见表1。我国北 京钢铁研，Z总院、中南大学等单位对钨铜电子封装材料电进行了研究开发工作，取得了一定的成果。我们 根据国内讣的基础研究和许多先进的工艺手段，结合我们多年粉末冶金研究的经验，确定具有自主条件的 技术路线． 目前．鸟铜复台材料的制各工艺主要有：高温液相烧结法、活化强化液相烧结法、熔渗法、注射成型预 烧钨骨架熔渗法等。 现代电子技术的发展使得电子元器件的集成度越来越高，单位面积的功率负荷呈快速上升趋势。估计 这种趋势倍会持续多年。钨铜电子封装材料市场容量大。从国家产业发展规划、产品的应用范围、性能价 格比、产品出口创汇的可能性等方面分析，钨铜电子封装材料市场前景良好。 表1有关公司产品性能 厂商 ‘ 成份 密度 热膨胀系数 导热系数 杨氏模量 (％质量) cg／c寸) (10一VK) (吖皿K) (GPa)20℃ 美崮Polese公司 砰一15％Cu 16．1 ，7．2 180 奥地利Plansee公司15士2％Cu 16．4 7．3 190 310 余最％W 2试验方法 ． 根据两相不互溶复合材料混合定律，钨铜复合材料的主要性能参数如热导率、热膨胀系数、密度等， 可以通过调整合金的成分来控制。 2．1根据有关理论，确立各项参数值’ ①熟膨胀系数 就钨铜二元合金而言，由于钨和铜既互不相溶也不形成化合物，因此，从理论上讲，它们的热膨胀表 现为成份的加和关系。钨铜复合材料的热膨胀系数由cu、W组元的含量决定。对这类结构的复合材料，由 German提出的热膨胀系数模型确定钨铜电子封装材料的理论热膨胀系数。 ②热导率 对封装材料而言，不但要求有匹配的热膨胀系数，而且要求有尽可能高的导热系数以利于散热，从而 提高器件的性能和使用寿命．钨铜合金是目前热膨胀系数较低，热导率较高的封装材料。由6elman提出的 单元结构模型来确定钨铜电子封装材料的理跑热导率。 -179． 一{80· @密度 在铜含量为10-30％(体积)范屠内钨铜的热膨胀系数基本上与铜含量呈线性关系．确定了热膨胀系 数的技术指标，钨铜材料密度也就被锁定在一定范围内。由复合材料加和规律，两相互不相容的W-Cu钨 铜电子封装材料的密度可用下述公式计算： p。皿=pwxp“／p。xWcu+p“xw． 其中；pnpm分别为钨、铜的理论密度， 矾、眠分别为钨和铜两相的质量百分比。