深亚微米CMOS器件中栅氧化层的经时击穿行为TDDB及其机理研讨.pdfVIP

目 录 摘要 英文摘要 术语及定义解释 。 第一章绪论—————一～一一．4 第二章 2．1MOS栅氧制造工艺概述～ 6 2．2 MOS晶体管栅氧的可靠性———————一6 2．3MOS氧化膜中的电荷～8 MOS晶体管栅氧击穿机理概述以及寿命推导法则 16 2．4经典栅氧的击穿机理 20 2．5小结 26 第三章深亚微米MOS晶体管栅氧的可靠性测试及其经时击穿行为的机理分析一27 3．1常规栅氧化层可靠性评价方法简介 27 3．2不同技术代氧化膜的评价 34 3．34、结———————————————————