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半导体存储器及可编程逻辑器件 半导体存储器是一种能存储大量信息的器件，它是由许多存储单元组成的。每个存储单元都有唯一的地址代码加以区分，而且能存储一位（或一组）二进制信息。半导体存储器便于以大规模集成电路的方式实现，具有集成度高、体积小、可靠性高、价格低、外围电路简单等特点。 半导体存储器广泛应用于各种数字电路系统中，用来存放程序、数据等，是数字电子系统中不可缺少的重要组成部分。 1.1 半导体存储器的分类 半导体存储器有两种基本操作——读和写。读操作是指从存储器中读出信息，不破坏存储单元中原有内容，所以读操作是非破坏性的操作。写操作是指把信息写入（存入）存储器，新写入的数据将覆盖原有内容，所以写操作是破坏性的。 从信息的存取方式来看，半导体存储器可分为顺序存储器、随机存储器和只读存储器三大类。 顺序存储器（Sequential Access Memory，SAM），对信息的写或读操作是按顺序进行的，可以采用“先入先出”或“先入后出”的方式。 在正常工作状态下，随机存储器可以随机地向存储器任意存储单元写入数据或从任意存储单元读出数据，其英文名称为：Random Access Memory，缩写为RAM。在断电后，RAM中的信息将丢失。 只读存储器在正常工作时，存储器中的数据只能读出，不能写入。只读存储器的英文名称为：Read Only Memory，缩写为ROM。在断电后，ROM中的信息不会丢失。 MROM——掩模ROM，内容是工厂预先做好的，用户不能改写的只读存储器。 PROM——可以一次编程的只读存储器。 EPROM——可用紫外线擦除的可改写的只读存储器。 E2ROM——电擦除的可改写的只读存储器。 SRAM——静态随机存储器。 DRAM——动态随机存储器。 非易失性RAM——由SRAM和E2ROM组成，正常工作时，用SRAM存取，当断电时，数据转移到E2ROM中。 高速数据不挥发SRAM——采用锂电池供电，数据可以保持10年以上。 Flash Memory——闪速存储器，类似于E2ROM，但是具有容量大、使用方便的优点。 只读存储器电路比较简单，集成度较高，成本较低，而且具有一个重要的优点，就是当断电以后，它的信息是不会丢失的，是一个永久性的存储器。所以，在计算机中，尽可能把一些管理程序、监控程序等不需要修改的程序放在ROM中。 1.2 存储器的技术指标 1．存储容量 存储容量表示存储器存放二进制单元的多少，一般来说，存储容量就是存储单元的总数。一组二进制信息称为一个字，而一个字由若干位（bit，简写成b）组成。若一个存储器由N个字组成，每个字为M位，则存储器的容量为N×M，单位是二进制的位。例如一个存储单元有1 K（1 K = 210 = 1024）字，每个字的字长是4位，则该存储器的容量是4096位二进制单元，即4096 bit。 存储容量越大越好，比较大的动态存储器容量已超过109位/片。 在表示存储器的容量时，通常以字节（Byte，简写成B）为单位进行描述，1 Byte = 8 bit，所以存储器的容量是4096位（4096 bit），也就是512字节（512 B）。另外，对二进制数进行计量单位时，把210记做k，所以4096 bit就是4 kbit；把220记做M；把230记做G。 2．存取周期 存储器的性能基本上取决于从存储器读出信息和把信息写入存储器的速率。 存储器的存取速度用存取周期或读写周期来表征，把连续两次读（写）操作间隔的最短时间称为存取周期。存取周期越短越好，目前高速随机存储器的存取周期少于10 ns。 2 随机存储器 RAM的核心部分是一个寄存器矩阵，用来存储信息，称为存储矩阵。 图10.2所示是1024×1位的存储矩阵和地址译码器，属多字1位结构，1024个字排列成32×32的矩阵，中间的每一个小方块代表一个存储单元。为了存取方便，给它们编上号，32行编号为X0、X1、…、X31，32列编号为Y0、1、…、Y31。这样每一个存储单元都有了一个固定的编号（Xi行、Yj列），称为地址。 地址译码器的作用，是将寄存器地址所对应的二进制数译成有效的行选信号和列选信号，从而选中该存储单元。 存储器中的地址译码器常用双译码结构。上例中，行地址译码器用5输入32输出的译码器，地址线（译码器的输入）为A0、A1、…、A4，输出为X0、X1、…、X31；列地址译码器也用5输入32输出的译码器，地址线（译码器的输入）为A5、A6、…、A9，输出为Y0、Y1、…、Y31，这样共有10条地址线。例如，输入地址码A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0 = 0000000001，则行选线X1 = 1、列选