金属有机化学气相沉积生长ZnxMnxSe薄膜的发光和磁-发光学报.PDFVIP

第 27 卷 第 5 期 发 光 学 报 V ol127 N o15 2006年 10 月 CH INESE JOURNAL OF LUM INESCENCE O c t. , 2006 : 1000-70 32( 2006 05-0 805-05 金属有机化学气相沉积生长 Zn Mn Se薄膜的发光和磁光性质 1- x x 1, 2 1* 1 1 1 鞠振刚 , 张吉英 , 吕有明, 申德振 , 姚 斌 , 1 1 1 1 赵东旭, 张振中, 李炳辉, 范希武 ( 1. 中国科学院激发态物理重点实验室, 吉林 长春 130033; 2. 中国科学院 研究生院, 北京 100049 : 用金属有机化学气相沉积( M OCVD 方法在 G aA s衬底上生长了不同组分的 Zn M n Se 薄膜。X 1- x x 射线衍射和 X 射线摇摆曲线证明样品具有较好的结晶质量。在低温、强磁场下对样品的发光进行了研究, 在 带边附近观察到两个发光峰的相对强度随着磁场增强发生了变化。通过变温光谱探讨了这两个发光峰的来 源, 并被分别归因于自由激子跃迁和与M n有关的束缚态激子跃迁。同时随着磁场的增强, ZnM nSe带隙发光 5 红移是由于类 S带和类 P 带电子与M n 离子的 3d 电子的自旋交换作用。 : Zn M n Se; 金属有机化学气相沉积 (M OCVD ; 光致发光; 磁光性质 1- x x : O 482. 31; O4 82. 55 PACC: 7820L; 7855 : A 1 引 言 2 实 验 Zn M n Se 作为一种稀磁半导体 ( DM S 材 1- x x 用低压 MOCVD 方法在 G aA s ( 001 衬底 料倍受人们的关注。稀磁半导体是通过磁性离子 上生长了Zn M n Se薄膜。用三羰基甲基环戊二 1-x x 随机取代非磁性半导体化合物的阳离子的格位而 烯基锰( TCM n 作为M n 源, 二甲基锌 ( DM Zn 和 形成的一类新型半导体, 这些磁性离子可以是过 H Se作为 Zn和 Se源。生长温度