稀土Er离子注入GaN薄膜晶格损伤和发光特性研讨.pdfVIP

2005年12月 第十三届全目电子束·毒子束·光子束学柬年套 湖南·长沙 稀土Er离子注入GaN薄膜晶格损伤 和发光特性研究 陈维德宋淑芳 (中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室，‘北京100083) 摘要：掺稀土GaN材料在光通讯和显示技术等方面有广泛的应用前景。本文利用背散射／沟道技 术和光致发光谱等技术研究不同离子注人条件对Er离子注入GaN薄膜微结构和发光特性的影响。背 散射／沟道技术分析结果指出，随稀土注入剂量和能量增加，引入的晶格损伤总量增加，沟道注人和升 温(400。C)注人可以减少损伤的引入，热退火可使部分晶格损伤得到恢复。采用合适的离子注人参数 和高温退火工艺，可获得强的室温GaN：Er在1．54mm的红外发光。 关键词：离子注人，稀土元素，GaN，光致发光。 1引盲 等可见光。在GaN中掺入一种稀土元素可获得一种非常纯的单色光。如果掺人两种或多种不同比例 的稀土元素可获得混合色彩的光；如果借助掩膜技术可实现白光或全色显示。 近年来发展起来的掺稀土GaN薄膜电致发光材料，可克服液晶显示材料的不足，也