模拟电子技术基本概念题--填空题及答案.doc.docVIP

填空题 二极管： 在半导体中．漂移电流是在 电场 作用下形成的，扩散电流是在 浓度差 作用下形成的。 二极管最主要的特点是 单向导电性 ；确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 IF 和 UR 。 在室温(27度)时，锗二极管的死区电压约 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约 0.3 V；硅二极管的死区电压约 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约 0.7 V。 二极管的交流等效电阻rd随静态工作点的增大而 减小 。() 硅稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在 反向击穿区 状态。 晶体管及放大电路基础： 晶体管从结构上可分成 NPN 和 PNP 两种类型：根据使用的半导体材料不同可分成 硅 和 锗 管。它们工作时有 电子 和 空穴 两种载流子参与导电，常称之为双极型晶体管 。 NPN型和PNP型晶体管的区别是 P区和N区的位置不同 晶体管的穿透电流ICEO是集—基反向饱和电流ICBO的 1+β 倍。—般希望尽量选用ICEO 小 的管子 晶体管的电流放大作用是指基极或发射极电流对 集电极 电流的控制作用。（） 已知晶体管β=99，IE=1mA，ICBO=0，则IB= 0.01mA ，IC= 99mA 。 晶体管在放大电路中三种接法分别是 共射，共集，共基 当温度上升时．晶体管的管压降UBE、电流放大系数β及反向饱和电流ICBO分别将 降低，增大，增大 从晶体管的输入特性可知，晶体管存在死区电压。硅管的死区电压约为 0.5 ，锗管约为 0.1 ；晶体管在导通之后，管压降UBE变化不大，硅管的UBE约为 0.7 ．锗管的UBE约为 0.2 。 从晶体管的输出特性可知，当基极电流增大，集电极和发射极之间的击穿电压会随着基极电流的增大而 减小 。 温度升高时，晶体管的共射极输入特性曲线将 左移 ，输出特性曲线将 上移 。而且输出特性曲线的间隔将 增大 。 晶体管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地的电位分别为UA=－5V、UＢ=－８V、UＣ=－５.2V，则晶体管对应的电极是：A为 发射极 、Ｂ为 集电集 、Ｃ为 基极 。该晶体管属于 PNP 型 锗 晶体管。 晶体管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地的电位分别为=7V、=2.3V、=3V，则晶体管对应的电极是：A为 集电集 、Ｂ为 发射极 、Ｃ为 基极 。该晶体管属于 NPN 型 硅 晶体管。 在晶体管共射放大电路中，当时，管子工作于 线性放大 状态，此时集电极电流的大小只与 IB有关，而与 UCE 几乎无关。当恒定， IC 具有恒流的特性。 某晶体管的最大允许耗散功率是受 管子的结温允许值的大小 限制的。 在晶体管放大电路中，集电极负载电阻的主要作用是把电流的控制和放大作用转化为 电压 放大作用。 放大电路的非线性失真包括 饱和 失真和 截止 失真。引起非线性失真的主要原因是 静态工作点不合适，太高或太低，或输入信号幅度太大 。 引起电路静态工作点不稳定的主要因素是 温度变化引起元器件参数变化 。为了稳定静态工作点，通常在放大电路中引入 直流负反馈 。 某放大电路在负载开路时的输出电压为4v，接入3kΩ的负载后输出电压降为3v，则此电路的输出电阻为 1k 。 在晶体管组成的三种基本放大电路中，输出电阻最小的是 共集 电路．输入电阻最小的是 共基 电路，输出电压与输入电压相位相反的是 共射 电路。无电流放大能力的是 共基 放大电路，无电压放大能力的是 共集 路。但三种放大电路都有 功率 放大的能力。 多级放大电路常见的耦合方式有 直接 、 阻容 和 变压器 。 直接耦合多级放大电路存在的两个主要的问题是 零点漂移 和 静态工作点互相影响 。 所谓零点漂移是输入信号为零时， 输出 信号会产生缓慢的无规则的变化。 由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移，因此会引起放大电路的输出信号产生失真。这种晶体管工作在线性区而引起的失真称为 线性失真 ，也称为 频率失真 。 放大电路的频率失真包括 幅度 失真和 相位 失真。 在阻容耦合放大电路中加入不同频率的正弦信号时，低频区电压增益下降的主要原因是由于在电路中存在 耦合电容或旁路电容