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* 微 电 子 器 件 电子科技大学 微电子与固体电子学院 张庆中 总学时数：72 学时 其中课堂讲授：60 学时，实验：12 学时 成绩构成： 期末考试：70 分、平时：20 分、实验：10 分 W W W HAT ? HY ? HO ? 电子器件发展简史 1904年：真空二极管 1907年：真空三极管 电子管 美国贝尔实验室发明的世界上第一支锗点接触双极晶体管 1947年：双极型晶体管 1960年：实用的 MOS 场效应管 固体器件 1950 年发明了结型双极型晶体管，并于 1956 年获得诺贝尔物理奖。 1956 年出现了扩散工艺，1959 年开发出了 硅平面工艺 ，为以后集成电路的大发展奠定了技术基础。 1959 年美国仙童公司（ Fairchilds ）开发出了第一块用硅平面工艺制造的集成电路，并于 2000 年获得诺贝尔物理奖。 1969年：大规模集成电路（LSI ，103 ~ 105 元件或 102 ~ 5 ×103 等效门 ） 1959年：中小规模集成电路（IC） 1977年：超大规模集成电路（VLSI ，以 64K DRAM 、16位 CPU 为代表 ） 1986年：巨大规模集成电路（ULSI，以 4M DRAM 为代表 ，