微电子-07MESFET－金半场效应晶体管.pptVIP

本节内容 基本微波技术 隧道二极管 碰撞电离雪崩渡越时间二极管 转移电子器件 量子效应器件 热电子器件 若层2的迁移率低很多，则在两端点间电路将会有负微分电阻产生，如图(c)所示．这很类似于建立在动量空间谷间转移基础上的转移电子效应，因此称作实空间转移 . 在实空间转移器件里，窄禁带半导体内的电子可从输入功率获得能量而转移进入宽禁带半导体，导致负微分电阻的特性。实空间转移器件具有高跨导和高截止频率。RSTT也可应用在逻辑电路上，它比其他器件有较少的部件数量却能执行特定的功能。 热电子器件 辐射跃迁 光子和固体内的电子之间有三种主要的相互作用过程：吸收、自发辐射、受激辐射。如图为在一个原于内的两个能级E1和E2，其中E1相当于基态，E2相当于激发态，则在此两能态之间的任何跃迁，都包含了光子的辐射或吸收，此光子的频率为ν12，而hν12=E2-E1。 室温下，固体内的大多数原子处于基态。此时若有一能量恰好等于hν12的光子撞击此系统，则原本处于基态的原子将会吸收光子的能量而跑到激发态。这一过程称为吸收过程。 辐射跃迁和光的吸收 在激发态中的原子是很不稳定的，经过短暂的时间后，不需要外来的激发，它就会跳回基态，并放出一个能量为hν12的光子，这个过程即称为自发辐射[图(b)]。 当