微电子-03载流子输运现象.pptVIP

本节内容 载流子漂移与扩散 产生与复合过程 连续性方程式 热电子发射、隧穿及强电场效应 在x=∞的边界条件为 光照下，当表面复合在半导体样品的一端发生时，从半导体内部流至表面的空穴电流密度为qUs，如图。假设样品均匀光照，且载流子均匀产生。表面复合将导致在表面具有较低的载流子浓度。这个空穴浓度的梯度产生了一个等于表面复合电流的扩散电流密度。因此在x=0处的边界条件为 表面的少数载流子 因此在稳态下，微分方程式为 连续性方程 x hv 表面复合 N型 0 Pn(x) Pn(0) Pn0 0 以上述的边界条件求得方程式的解为 右图为对一有限的S1r值上面方程式解的图示。当S1r →0，则pn(x)→pn0+τpGL，当S1r →∞，则 可见，表面的少数载流子浓度趋近于它的热平衡值。 连续性方程 x hv 表面复合 N型 0 Pn(x) Pn(0) Pn0 0 在半导体表面上，假如载流子具有足够的能量，它们可能会被发射至真空能级，这称为热电子发射过程。 图(a)显示一个被隔离的n型半导体的能带图。电子亲和力为qχ为半导体中导带边缘与真空能级间的能量差；而功函数q?s则为半导体中费米能级与真空能级间的能量差。由图(b)可见，假如一个电子的能量超过qχ ，它就可以被热电子式发射至真空能级。 热电子发射过程(thermionic emissi