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- 2017-12-28 发布于北京
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微电子器件-XT.ppt
第 5 章 1、 3、 5、 6、 8、 13、 部 分 习 题 解 答 3 、 第 2 章 4 、 6 、 ND2 ND1 8、(1) (2) 20、 24、 PN 结的正向扩散电流为 式中的 I0 因含 ni2 而与温度关系密切,因此正向扩散电流可表为 于是 PN 结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为 31、 当 N- 区足够长时,开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为 当 N- 区缩短到 W = 3?m 时,雪崩击穿电压成为 34、 39、 第 3 章 1、NPN 缓变基区晶体管在平衡时的能带图 NPN 缓变基区晶体管在放大区时的能带图 2、NPN 缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图 3、 6、 7、 8、以 NPN 管为例,当基区与发射区都是非均匀掺杂时,由式(3-33a)和式(3-33b), 再根据注入效率的定义,可得 9 、 10、 (1) (2) (3) (4) 14、 15、 20、当忽略基区中的少
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