半导体激光器2.pptVIP

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半导体激光器2

半导体激光器 2.3黑体辐射的普朗克公式 2.3.1绝对黑体: 如果某一物体能完全吸收任意波长的电磁辐射,称为绝对黑体,简称黑体。 热辐射或温度辐射: 物体除吸收电磁辐射外,还会发出电磁辐射,这种电磁辐射称为热辐射或温度辐射。 2.3.2黑体辐射 如果黑体处于某一温度T 的热平衡情况下,则它所吸收的辐射能量应等于发出的辐射能量,即黑体与辐射场之间应处于能量(热)平衡状态。 这种平衡必然导致空腔内存在完全确定的辐射场,这种辐射场称黑体辐射或平衡辐射。 在温度T 的热平衡情况下,黑体辐射分配到腔内每个模式上的平均能量为 黑体辐射是黑体温度T 和辐射场频率v的函数。并用单色能量密度ρv 描述。 2.3.4单色能量密度ρv : 单位体积内,频率处于v附近的单位频率间隔中的电磁辐射能量,其纲量为J*m-3*s. 式中:nv 腔内单位体积中频率处于v附近单位频率间隔内光波模式数,E 腔内每个模式上的平均能量 腔内单位体积中频率处于v附近单位频率间隔内光波模式数nv为: 式中,Pv为在体积为V的空腔内,处在频率v附近的频带dv内的模式数。 黑体辐射普朗克公式-单色能量密度 2.3.5光与物质相互作用的三个过程: 为简化问题,我们只考虑原子的两个能级E2和E1并有 E2-E1 = h ,单位体积内处于两能级的原子数分别用n2和n1,如图所示。 爱因斯坦从辐射与原于相互作用的量子论观点出发提出,相互作用应包含原子的自发辐射跃迁、受激辐射跃迁和受激吸收跃迁三种过程。 1.受激吸收: 4.在光和原子相互作用达到热平衡的绝对黑体空腔内的原子系统中,如果单色辐射能量密度为ρv ,则有如下关系 式子的左边是与高能级上粒子数有关的辐射光子数,而右边是与低能级上粒子数有关的吸收光子数,即发射与吸收光子数相等 达到热平衡的绝对黑体空腔内任何位置的光强都相等,理想空腔内壁反射率为1,黑体温度为常数T 至此可以看出: A21、B21、B12三个爱因斯坦系数是相互关联的,它们之间存在着内在的联系,绝不是相互孤立无关的。 对一定的原子体系而言,从式中可以看出,自发辐射系数A21与受激发射系数B21之比正比于频率v的三次方,因而E1和E2能级差越大,v就越高, A21与B21的比值就越大,也就是说,v越高自发辐射越易,受激辐射越难,一般地,在热平衡条件下,受激辐射所占比率很小,主要是自发辐射。 当高低能级的简并度相同时,受激辐射与受激吸收系数相等。外来光子被吸收和激发受激辐射的机会相同。但是一般讲高能级的简并度总比低能级的简并度要高,因此受激辐射比受激吸收系数要小。 1.工作物质(增益介质)--首要物质前提 有合适的跃迁能级,辐射频率符合要求 能级中须有一个能储存大量粒子的亚稳态能级。 2.激励源--搬运粒子的动力 抽运:打破平衡状态,实现布居反转 3.谐振腔--实现光放大 a.提供光学正反馈。 b.控制振荡光束的特性 (b)受激辐射系数B21: 设外来光场单色能量密度ρv (入射光子满足hv =E2 - E1),处于能级E2上的原子数密度为n2,在从t 到t + dt 的时间间隔内,有dn21 个原子由于受辐射作用,而由E2跃迁到E1,则有 dn21=B21ρvn2dt 其中B21称为受激辐射系数 B21是粒子能级结构的特征量, 它的数值由不同原子的不同跃迁而定,和外电磁场ρv无关 。 (c)受激发射跃迁几率W21: W21的物理意义:单位时间内,在外来单色能量密度为ρv的光照射下,由于E2和E1间发生受激跃迁, E2能级上减少的粒子数密度占E2能级总粒子数n2 的百分比;也即E2 能级上每一个粒子单位时间内发生受激辐射的几率。 可见: W21是单位时间内粒子因受激发射由E2跃迁到E1的几率;且与外电磁场ρv有关。 注意: 当B21 一定时,外来光的单色能量密度ρv愈大,受激辐射几率W21 就愈大。 4.注意: (1)三个系数A21、B12、 B21: 均是粒子能级结构的特征量, 和外电磁场ρv无关。 (2)三种几率: A21和外电磁场无关; 而W12、W21与外电磁场ρv有关。 自发辐射--是不相干的 1.不受外界辐射场控制--自发过程; 2.相位是无规则分布的; 3.传播方向和偏振方向也是无规则分布的; 4.自发辐射平均地分配到腔内所有模式上。 受激辐射与自发辐射的极为重要的区别—

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