氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响.PDFVIP

第 24卷第 i期 半 导 体 学 报 V01．24。N0．1 2003年 i月 CHINESE JOURNAL OFSEMICONDUCTORS Jan．。2003 氮注入多晶硅栅对超薄 SiO2栅介质性能的影响* 许晓燕 谭静荣 黄 如 张 兴 (北京大学微 电子所 ，北京 100871) 摘要：P+多晶硅栅中的硼在 SiO 栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化，在多晶硅栅 内注人N 的工艺可抑制 硼扩散．制备出栅介质厚度为4．6nm 的p 栅MOS电容，通过 SIMS测试分析和 j—V、C—V特性及电应力下击穿特 性的测试 ，观察 了多晶硅栅 中注 N 工艺对栅介质性能的影响．实验结果表 明：在多晶硅栅 中注人氮可 以有效抑制 硼扩散，降低了低场漏 电和平带电压的漂移，改善了栅介质的击穿性能，但同时使多晶硅耗尽效应增强、方块 电阻 增大，需要折衷优化设计． 关键词 ：栅介质 ；氮注人 ；硼扩散 PACC：734OQ；7360H；8160 EEACC：2530F 中图分类号：TN386 文献标识码 ：A 文章编号：0253—4177(2003)01—0076—04 载流子损伤效应增强 ，沟道载流子迁移率下降，氧化 1 引言 物固定电荷增加，并且要求复杂的高温热处理 ，栅氧 厚度还会随着氮化程度 的不同而改变．栅氧化前在 深亚微米 的CMOS工艺 中，要采用 P 栅 的 硅衬底注氮可以抑制栅氧化速率，得到厚度较薄的 PMOSFET，因为p栅可以将PMOSFET转化为表 栅氧化膜 ，但是 由于离子注入引起的Si衬底内晶格 面沟道器件 ，抑制短沟道效应 ，使器件具有 良好的开 损伤和缺陷的存在 ，该工艺所制得的栅介质的击穿 关特性．但是 P 栅内注入 的硼在 SiO。栅介质 中很 特性较差 ，电应力下测得 的Q。值较小．此外 ，注入 容易扩散 ，多晶硅掺杂后的激活退火和其它热处理 的氮存在于沟道里会引起 阈值 电压的漂移．RPN工 过程 ，在激活硼杂质的同时会使硼穿过 SiO 扩散到 艺可以有效抑制硼扩散 ，减少栅介质泄漏 电流E6]，但 硅衬底 ，导致器件阈值 电压的漂移、沟道载流子迁移 需要特定的等离子体设备．本文采用 向P多晶硅栅 率下降、亚阈斜率增大等 ，从而使器件性能下降．此 中注入氮离子工艺抑制硼向栅介质和硅衬底的扩 外 ，硼扩散还会使 FN应力下栅介质 内电子俘获陷 散 ，通过 SIMS测试分析和 — 、c— 特性及电应力 阱和界面态产生速率增加、栅介质击穿性能下降、可 下击穿特性的测试 ，研究了该工艺对超薄SiO 栅介 靠性退化．因此在工艺 中有效抑制硼向SiO 栅介质 质性能的影响． 和硅衬底 的扩散，对提高栅介质可靠性和改善器件 性能是非常重要和必要的．氮化SiO 栅介质具有很 2 实验 好 的抗硼扩散能力 ，其制备可通过如下工艺方法实 现：栅氧化前在硅衬底 内注氮口 ；栅氧化后在 NO 初始材料为 ~100mm(100)晶向，电阻率为 2．7 或 NO退火氮化I3；在 P 多晶硅栅中注入氮离子后 ～ 412·cm 的n型硅片．采用 LOCOS工艺和 MOS 退火[4 以及对栅氧进行RPN(remoteplasmanitri— 工艺流程制备出场氧隔离的不同面积的P polysi／ dation)处理[6等．NO或NO退火工艺会使沟道热 SiO ／n型 Si电容样 品．在 850~C下干氧氧化制得 *国家 自然科学基金(批准号及 国家重点基础研究专项基金 (