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电极铁电薄膜结缘层半导体结构之制程与电特性劣化研究(II).PDF
電極/鐵電薄膜/結緣層/矽晶體結構之薄膜製程及特性劣化研究 (II)
Forming gas annealing on physical characteristics and property
degradation of Pt/Sr Bi Ta O /Al O /Si capacitors
0.8 2 2 9 2 3
計畫編號：NSC91-2215-E-009-051
執行時間：91/08/01 ~ 92/07/31
主持人：陳三元 教授 交通大學材料科學與工程系
中文摘要 hydrogen ions leads to the rapid decrease in
本研究主要是利用化學溶液法將 SBT 鐵 the dielectric constant but shows no apparent
influence on the memory window of
電薄膜沉積在Al O /Si 二種基材上，以研
2 3 Sr Bi Ta O /Al O /Si capacitors. In
0.8 2 2 9 2 3
究還原氣氛退火對元件在微結構及電性上 addition, it was found that FGA shows
的影響。實驗發現經過還原氣氛退火後， positive effect on the leakage current of
MFIS in contrast to that of
會造成 MFIS 結構試片的電容值嚴重降 metal/ferroelectric/metal (MFM) structure.
低，但是對於記憶窗並沒有顯著的影響。 The leakage current density of MFIS
根據 SIMS 結果可發現造成電性劣化的來 dramatically decreases as much as two
orders of magnitude after FGA at 500oC
源，來自於鐵電成分的變動。當SBT 試片
compared to that without FGA treatment that
沉積上電極後，電性受還原氣氛退火的劣 was attributed to the reduced defects at the
interface of Al O /Si.
化程度會降低，此現象則出自於上電極抑 2 3
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