砷化镓高频元件铜金属化研究及可靠性评估.PDFVIP

行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告 砷化鎵高頻元件銅金屬化研究及可靠性評估 計畫類別：個別型計畫 計畫編號：NSC92-2215-E-009-069- 執行期間：92年08月01日至93年07月31日 執行單位：國立交通大學材料科學與工程學系 計畫主持人：張翼 報告類型：精簡報告 報告附件：出席國際會議研究心得報告及發表論文 處理方式：本計畫涉及專利或其他智慧財產權，1年後可公開查詢 中 華 民 93年10月6日 國 一、計畫中文摘要 關鍵詞：砷化鎵，銅金屬化製程，高電子移動率電晶體，異質接面雙極電晶體，歐 姆接觸，空氣橋，熱穩定性，可靠性。 摘要： 本研究旨將目前砷化鎵銅製程整合至砷化鎵高頻元件製程上，並以高電子移動 率電晶體(HEMT)與異質接面雙極電晶體(HBT)研究其元件特性。內容包括前端製程 之歐姆接觸金屬、內連接導線與空氣橋部分，並驗證其熱穩定性與可靠性評估。在 完成元件製作後進行量測電特性及熱處理之特性變化之外，同時探討銅 /擴散阻障層 / 基層材料間之材料界面反應情況，包括銅/擴散阻障層歐姆金屬等之多層薄膜材料/ 系統穩定性研究。本報告內容並完成將完全使用銅取代金的 HBT 製程，可以增加元 件特性及降低成本，並可將此 製程應用於高頻砷化鎵 MMIC 製程上。 二、計畫英文摘要 Keywords ：GaAs, Copper metallization process, high electron mobility transistor, hetro-junction bipolar transistor, ohmic contact, air-bridge, thermal stability, reliability. Abstract: In this project, we have set up the copper metallization process for GaAs high electron mobility transistors(HEMT’s) and (hetro-junction bipolar transistors)HBT’s. The devices are with Cu-based ohmic contacts, interconnects and air-bridges. The electrical performance, thermal stability and reliability of the copper metallized devices were also evaluated in this project. The thermal stability and interface reactions of copper/diffusion-barrier and copper/diffusion-barrier/ohmic-metal were also studied. In this report, we have successfully demonstrated that Au-free, fully Cu metallized HBT can be achieved by using Pt as the diffusion barrier and Pd/Ge and Pt/Ti/Pt/Cu as the ohmic contacts. This study shows promising results for copper metallization of GaAs devices and MMIC for high frequency applications. ( 一) 前言： 銅金屬化製程在矽 IC 製程應用上是十分熱門的題目，國內各大矽 IC廠亦卯足 全力發展此方面之製程，目前已經將銅製程取代鋁應用在矽元件上 [1-4] 。在矽IC 製 程銅金屬化，具有下列優點： (1)電阻值 1.7 μΩ-cm 遠較 A1的 2.74 μΩ-cm 為低， (2)對電子遷移效應和應力遷移效應扺抗性