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DC-5GHzGaAs单片压控衰减器的研制 张广显 何庆国 陈红莉 专用集成电路国家级盆点实验室 电子部十三所 石家庄050051 摘妥 研制的GaAs单片压控衰减墨频率范围为DC-5GHz,衰减tI最大可达30dB,带内平坦度小于2.5dB，芯 片尺寸1.2x0.8耐.封装管先尺寸5X6耐 ，具有频带宽，平坦度好，控制功率小，响应速度快等特点，特 别适用于宽带小型化的徽波系统中应用.文中第二部分讲述了电路设计原理。包括FET模型，几种衰减电路 的比较及选取，给出了单片衰减器的电路图.讲述了电路的工艺制作过程.第三部分给出了研制结果. 一 引言 电压控制的可变衰减器是重要的微波控制器件，主要用于电路系统的自动增益控制，功 率电路的电平控制，放大器增益变化的温度补偿以及收，发电路的隔离保护等.F工N二极管是 最常用的器件，但由于其体积大，控制信号消耗功率大、控制速度较慢且带宽不易做宽，随着 微波电路系统对体积带宽等的要求越来越高，由于GaAsMESFET微波单片集成电路(MMIC)其 固有的体积小，重童轻，频带宽等特点，单片压控衰减器将逐渐获得广泛使用.本文介绍DC- 5GHz单片FET压控衰减器的设计，制造以及它的性能. 二.电路设计原理 1.FET等效电路模型 衰减器电路中GaAsMESTFET采用无源工作状态，即源漏不加直流电压，栅级加负的直流 电压控制信号，这时FET的等效电路如图1所示，随着栅压改变时栅下的耗尽层发生变化， 源漏间电阻Rds随之变化，当栅压Vg=O时栅下沟道全部导通，FET处于导通态，这是源漏间 相当于一个小电阻Ron，如图2(a)所示.随着棚压的增加沟道逐渐截止Rds逐渐增大，当 VgVp时，Rds达到最大，源漏间相当于大电阻Roff和电容Coff的串联，如图2(b).这样，根. 据实际需要，多个FET依照不同衰减结构的组合就成为电压可变衰减器. S 、·{Roff D (.) 圈 1无双FET祖型 图2(e)FET导通态锐里 (b)截止态板裂 210 二 2.衰减电路的选取 单片衰减器的衰减结构常用的有三种:桥T型,T型和7[型，三种结构中，桥T型插入损耗 最小，衰减量也可达到很大，但是带内平坦度最差，二型衰减器插入损耗较小，但带内平坦度 也较差，T型衰减器有较小的插损，较大的衰减1t及较好的带内平坦度.通过三种结构的比较， 我们采用了T型衰减网络，其电原理图如图3: 图3衰减签电原理图 在较低频率时，PET电容可以忽略，衰减量A可由下式表达: A(d8，二’O。l9g两R(‘,而+Z.)2A(R,Z+Z+2R,) Rl,R2分别是FET1和FET2的源漏电阻，Z0=50Q 频率较高时，FET寄生电容会使衰减器性能变坏，串联电容主要影响衰减器最大衰减态， 而并联电容主要影响衰减器插损态.为了减小FET寄生电容需要使栅宽，栅长都要减小，然 而减小栅宽却会增大FET的导通电阻，从而会使插损变大，所以FET姗宽要折中选择，FET的 栅长要受到单片工艺中能达到的最小细栅条的限制.本电路中FET栅宽，栅长分别选择为 600Fun,0.5Fun.为了减小管芯尺寸面积，提高器件成品率，FET采用叉指栅结构. 图3中Rg为栅隔离电阻，阻值一般在2-5k。的范围阻值太小不能起到隔离高频信号 从栅端泄漏的作用，太大了又会影响电路的响应速度我们在电路中选择Rg=5kn 电路中所 有电阻皆采用GaAs体电阻，整个电路的管芯尺寸为1.2X0.8mmz. 3.工艺制作 根据压控衰减器的特点，我们采用离子注入隔离，先SD后G的工艺步骤，运用两次刻栅 技术，以实现0.51m的细栅条，采用氮化硅钝化，TiPtAu