PCIV法在GaN载流子浓度测试中的应用.pdfVIP

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2017-12-29 发布于广东
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PCIV法在GaN载流子浓度测试中的应用.pdf

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274 六届全国固体薄膜学术会议论文 PCIV法在GaN载流子浓度测试中的应用汪雷卢焕明李剑光袁骏叶志镇 (浙江大学硅材料国家重点实验室杭州 31002 一、引言传统上测量半导体材料载流子浓度的方法主要有C-V技术和霍尔效应，但是对GaN薄膜而言，前者因目前还没找到合适的腐蚀液而束手无策:后者，由于利用霍尔效应测量出的载流子浓度中不可避免含有过渡层的信息，影响正确评价GaN的电学性能(11。进一步而言，GaN材料的生长主要是为了制作器件，在最简单的发光二极管的制备中，必须生长出 P一N结，众所周知利用霍尔仪无法对该种结构载流子浓度和电阻率的纵向分布作出精确的测量。目前我室利用新近购置的SSM-350点接触测量仪中PCIV(点接触电流电压)技术，对GaN中的载流子浓度、电阻率的纵向分布测量作了一些实验，并取得了较为满意的结果。 SSM350系统是美国固态测量公司 (SOLID STATEMEASUREMENTSINC.)制造的，具有世界先进水平的测试仪。包括两个互为补充的点接触测试技术即SRP(扩展电阴法)、和PCIV(点接触电流电压法).两者结合可剖析宽范围的III-V材料以及任何硅器件结构中载流子浓度及电阻率的纵向分布。二、SSM350系统 ★ 系统特色在SSM350系统中，最关键的测量部件就是探针，它由硬度高、耐磨性好的金属材料制成，靠气动安置，这样可免除擦伤，最小限度地减少探针尖损坏和被测样品表面的损伤。 SSM350比其以前型号有了许多改进，如探针增加了保护装置，用来提高杭噪声干扰力，其控制软件经过重新设计，可生成更精确的电阻测试，在高阻区的测量范围可扩大到10}0 。，探针臂可调负载重量C21，由以前的lOg.20g.45g又增加了5g档等等。倾斜角a 11032 5044 2052 109 0034 0017 008 004 sin((c) 0.20 0.10 0.05 0.02 0.01 0.005 0.00233 0.00116 Ax步进 Az=dxsin(a)=纵向深度分辨率 (gm) 单位(gm) 250 50 25 12.5 5 2.5 1.25 0.583 0.29 100 20 10 5 2 1 0.5 0.233 0.116 50 10 沙 2.5 1 0.5 0.25 0.117 ，058 六届全国团体薄膜学术会毯鱼1- 275 25 匕 2.5 1.25 0.5 0.25 0.125 .0583 .029 10 2 1 0.5 0.2 0.1 .05 0233 .0116 5 1 0.5 0.25 0.1 .05 025 ’.0117 .0058 2.5 0.5 0.25 0.125 .05 .0250 .0125 .0058 0029 1 0.2 0.1 .05 .02 .01 0050 .0023 .00116 0.5 0.1 .05 .025 .01 .005 .0025 00117 .00058 0.25 .05