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1Ms/sCMOS/SIMOX八位A/D转换器 技术研究 刘永光 张正番 (电子部二十四研究所，重庆，400060) 摘 要 SIMOX是一种新型的Sol材料，用它制作的CMOS电路实现了全介质隔离， 具有无闭锁、速度快、抗辐照等优点.本文采用CMOS/SIMOX工艺研制IMsample/s 八位A/D转换器。 该AID转换器采用半闪烁型结构，由两个四位全并行 人心转换器实现八位转 换。电路共有 只 个比较括.采用斩波稳零型结构，它具有结构简单和失调补偿功 能.电路采用多品电阻网络、ROM译码、三态输出. 电路采用 ，“mCMOS/SIMOX工艺制作，5v单电源工作，0-5v模拟电压输 入 :电路 由2100个器件组成，芯片面积 3.53X3.07mm. 关键词:SIMOX,A/D转换器.半闪烁型 概述 J 模拟信号处理过程中受到带宽、噪声、干扰等影响，信号就会失真，甚至根 本无法进行处理。所以，人们宁愿采用数字处理而不直接进行模拟信号处理。但 在自然界中.所有信号均为模拟信号。要进行数字处理，就必须先将模拟信号变 为数字信号.A/D转换器就是将模拟信号转换为数字信号。 采用体硅CMOs工艺制作，由于存在寄生电容，降低电路速度。从而人们 研究新材料来改善电路性能，提出了SOI(SilicononIsulator)技术.由于SOI抗辐 照，速度快，集成密度高，它的发展速度较快.最早进入实用化的SOI材料是SOS 材料，1979年，就己研制出6位20MUCMOS/SOSA/D转换器141。后期发展起 来的SiivLOX材料比SOS具有更大的优点，它的速度和功耗优于体硅电路Isu61.SOI CMOs技术在亚微米、深亚微米VLSUULSI领域具有较大的潜力。 体硅CMOs器件主要存在两个缺陷:源、漏扩散区与衬底之间的寄生电容， 和闭锁效应。而SIMOX器件(如图1所示)由于它实现了介质隔离，它与PN结隔 离的体硅相比，具有无闭锁、高速、低功耗、高封装密度和抗辐照能力强等优点 nr1,同时，它的工艺可与现有的CMOs工艺兼容，在设计上和体硅电路相同， 202 a 刘永光张正番:IMS/sCMOS/SIMOX八位A/D转换器 所以，SIMOX技术具有筱大的优势。 二十四所从八十年代末开始.从事 SIMOX工艺及器件的研究工作，并在SOl 器件研究上取得较大的进展.在 “八五” 期间，研制出了薄膜 CMOS/SIMOX 四双 向模拟开关。从 “九五”开始，二十四所 开始开展薄膜CMOS/SIMOXA/D,D/A研 究工作。 本文采用CMOS/SlMOX技术研制的 八位A/D转换器，电路采用半闪烁结构， 微处理器兼容。它的采样速率为 1Ms/s, 图I 薄膜SOIN沟道MOSFET剖 元件数为 2100个，芯片面积仅 3.53x3.07 面图 mm=. 2.A/D转换器电路设计 2.1电路结构 电路采用半闪烁 (halfflash)A/D结构。为了电路的微机兼容，电路结构如图 2所示。电路由粗量化器(高四位AD-DA)、细量化器(低四位A。转换器)、时序 和控制电路、三态输出等组成。粗m化器(coarsequatizer)，完成高