aSiCH薄膜的r射线辐照效应 - 副本 (2).pdfVIP

a-SiC:H薄膜的Y射线辐照效应* 刘贵昂’，贺德衍 ，‘谢二庆2 (I.湛江海洋大学荃础科学系，广东湛江 524088;2兰州大学物理系，甘肃兰州730000 摘 要:用射妞 (13.56MHz)反应城封法制备了 作用，同时还可以调整SiIC比例，提高a-SiC:H a-SiC:H薄膜，并将剑得的薄膜采用高能Y射戏进 膜的性质。反应室的真空度为 1.33X10-Pa,截射总 行辐照.采用电阻率、Raman及红外光讲对薄膜的 气压保持为 1.33Pa,流f比 ‘(r=CH4/CH4+Hz+Ar) 结构与特性变化规律进行表征.结构与特性分析表 固定为 4.4%,派射电压固定为 AV,射频功率为 明:随Y封线辐照4111的增加，a-SiC:H薄膜存在 50OW.衬底不额外加热，膜厚控制在lum左右。 结晶化的趋势，直接导致其电阻率的变小.通过与 将所得a-SiC:H薄膜切成8X16mrn大小的小 离子辐照进行比校，泌找辐皿a-sic:H薄膜与离干 片供实验使用。实验用的犷射线是COW产生的，其 辐双 a-SiC:H薄双的效应完全不同.前者使之向晶 平均能f为 1.25McV,辐照在空气中进行，环境温 态转史，而后者则使其中的晶态向昨晶态转化.经Y 度在200C左右 ·aSICH:薄膜样a的辐照剂f如表1 衬线辐照后薄膜的进过率均低于原膜的透过率.但 所示。 在郑分波段内，原膜及低荆1处理后薄膜存在一定 衰1各样品的辐照剂， 的增进作用. T曲le1Theirradiationdoseofdifferentsamples AIM,f-SiCHX今:，kits%;Ma;nsra 样品编号 20 21 22 23 24 过率 辐照剂f (XIOIGY) 0 2 4 6 8 1 引 言 对经处理前后的样品采用ZC36型10Sa超高阻 碳化硅((Sic)A一种宽带晾半导体材料，具有优 10^A微电流测试仪对电阻率进行侧f采用中科 良的热稳定性、高电子迁移率、高击穿电场等特性， 院化物所NiooletRaman910型付里叶变换橄光拉里 与硅 (Si)相比，具有更强的抗辐射能力，因而成 光谱仪及 IFS120HR型付里叶光谱仪进行表征，以 为高温、高频、大功率及抗辐射器件的合格候选者， 研究处理前后样品结构与特性的改变。 被誉为 “军事半导体材料Mil,由于在航空航天、核 能仪器、人造卫星、太空探侧等高科技领域不可避 3 实验结果与讨论 免地遭受T射线的辐照，因此，研究a-SiC:H薄膜材 料辐照效应的里要惫义也就不言而喻。随着科学技 3.1 电阻率的变化规律 电阻率随辐照剂f的变化规律如表2所示。 术的发展，核辐射环境问皿也愈来愈复杂和广泛存 在。今后对新电子器件的研制.一开始就要考虑到 表2电阻率与Y射坡辐照剂f的关系 抗辐射问题。因此，进行辐照效应的研究，本身就很 Table2Therelationshipbetweenirradiationdoseand electricalresistiviyt 有惫义m. 样品编号 20 21 欢 23} 区 2 实验方法 电阻率n(X1护。·em)5.2 4.1 3.8 3.4 区 a-SiC:H薄膜是在IS-450型派射系统中用射频