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Au-AI键合系统的退化模型 谭超元 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 摘要 :本文根据Au-Al健合系统由于金属间的互扩散效应，在高温作用下的Au-AI界面将形成科肯代 尔 (Kirkendall)空洞的失效机理，建立了Au-AI健合系统的退化模型』试验结果表明该模型可以技 好地反映Au-AI健合系统的退化规律 . 关健词:AAA]健合系统，互扩傲，模型 。 1.引言 国内外在七十年代前后，对Au-Al键合系统的失效扫U里进行了大量的研究工作，对 Au-Al键合系统的失效机理有了比较透彻的认识，现已公认，Au-Al金铝键合系统在高 祖储存后，将产生多种金属间化合物，如Au4A1,Au5Al2,An2Ai,AuAI2,AuA1等，这几种 金属问化合物的晶格常数和热膨胀系数均不相同，因而在键合点中产生很大的内应力， 由于金属间的互扩散效应，经过高温处理的Au-Al界面将形成所谓科肯代尔 (Kirkendall)空洞，导致键合点开路。 虽然对Au-Al键合系统的失效机理已经比较清楚，佳挤寸描述Au-AI键合系统退化规 律的数学模型的研究还很少有报道。美军标给出了一个Au-Al键合系统的失效率与温度 的统计计算公式，但这个公式不能描述Au-Al键合系统的退化特性。国外有一种描述 Au-Al键合拉力退化的数学模型，但在对我们国内Au-Al键合系统样品进行的试验中发 现，即使已经出现很严重的Au-Al金属间的互扩散效应，其键合拉力依然没有明显变化， 且断点不在Au-Al键合界面。这说明该模型不适合国内的Au-Al键合系统。 2.建立Au-A1键合系统退化模型的物理基础 我们通过对Au-Al键合系统的摸底试验发现Au-Al键合点的接触电阻会随着试验时 一 间的增加而增大，因而我们以接触电阻的变化来建立描述Au-Al键合系统退化规律的数 一、 学模型。建立模型的根据是由于金属问的互扩散效应，在高温作用下的Au-Al界面将形 一气， 成所谓科肯代尔 (Kirkendall)空洞，使Au-Al接触面积不断减小，接触电阻逐步增大， 最终导致键合点开路。 一 3.Au-A!键合系统退化模型的建立 我们的样品是用常规金丝球焊工艺将直径为25um的金丝焊接在铝金属化膜上制成 的，下面我们根据Au-Al键合系统退化物理机制，来分析互扩散效应和科肯代尔空洞是 一 如何影响Au-Al键合点的接触电阻的。 假设只有Au-Al界面附近的电阻会随时间变化，其它部分的电阻(如金丝引线电阻. 外，压点接触电阻，铝金属化膜电阻等)在高温试验期间恒定不变。 因而Au-Al键合系统的接触电阻可以由等式 (1)来表示. R=凡+民 (I) 式中:Ro为阻值恒定不变部分的电阻; R,为Au-Al键合界面上形成的金属间化合物的电阻. R,又可以用公式 (2)来表示。 风=Ph/S (2) 式中:P表示互扩散形成的金属间化合物的电阻率; h表示互扩散形成的金属间化合物的厚度; S表示Au-Al界面的面积。 考虑到在温度不变的情况下。金属间化合物的成分基本不变，为了简化计算，我们 进一步假设P是恒定不变的。 由于h是互扩散形成的金属间化合物的厚度，故可用扩散长