PMOS剂量计的剂量率效应.pdfVIP

第9届全国核电子学与核探侧技术学术年会论文集 Proceedingsofthe9thNationalConferenceonNuclearElecrtoncis乙NuclearDetectionTeclmlogy PMOS剂量计的剂量率效应’ 范隆 任迪远 郭旗 张国强 严荣良 陆妩 (中国科学院新班物理研究所，乌.木齐，830011) 在不同剂f率的.Cor辐皿下.研究了PMOS荆]t计闰值电压的响应关系。借助快邃I-V亚门分析技 术。获得了辐射布生界面态对荆]t卒效应的贡旅，结果农明:辐月响应有较明且的荆f率效应，主耍农砚为响 应的拟合关系式w r-SD中幕。的交化，在低荆皿本区间内.，值较大.对应于辐射响应离员徽度范口，当 荆皿率增大时，，位减小.响应员饭度下阵.讨论了克服荆盆奉效应影响其应用的办法。 关.词,PMOS C-o7辐屁 荆f率 1 引官 在对MOSFET、的电离辐射效应研究中，与总剂A相关的阔电压响应的剂7t率效应早已 为人们所发现和研究U}a]结果表明:MOSFET在不同荆f率下的辐照响应机制存在差别，造 成了其阔值漂移程度的不同，因而表现出具有荆t率效应.辐射响应两电