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* 第4章 电磁场与电磁波 电磁波 习题课 哈尔滨工程大学理学院 * 4.1、 位移电流 在稳恒条件下，磁场满足安培环路定理： 在非稳恒条件下，考察电容器充电或放电的过程，在此过程中导线内的电 流随时间发生变化，是一个 非稳恒过程。如图：以同一 边界曲线L所作的不同曲面 S1和S2上的传导电流不同，上 式所表示的安培环路 定理不再适用。 穿过S1的电流I0没有穿过S2，自由电荷就在S1、S2之间积累下来。由电流的连续原理(即电荷守恒定律)，所积累的自由电荷q0与I0的关系为: I0=dq0/dt 电荷积累在电容器极板表面 ，将S1和S2合在一起看成是一个闭合面S，由高斯定理 ： S 在导体内E=0，D=0，故通过S1的电位移通量为0 ： 即：穿过S1的传导电流I0与穿过S2的电位移通量的时间变化率dΦD/dt相等，麦克斯韦把这个量叫做位移电流，用 ID表示。而将传导电流与位移电流之和I0+ID称为全电流，用Ir表示。这样一来，在电容器极板表面中断的传导电流I0被位移电流ID= dΦD/dt接替下去，二者合在一起保持着电流的连续性。由此可以写出非稳恒情况下的广义安培环路定理 ： 由此可知 ： 4.2 麦 克 斯 韦 方 程 组 广义安培环路定理说明，位移电流激发的磁场可以直接看作是变化的电场所激发的，所以麦克斯韦位移电流假说的中心思想是：变化着的电场激发涡旋磁场。另外