基于AlGaNGaN共振隧穿二极管的退化现象的研究.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 21 (2013) 217301 基于AlGaN/GaN 共振隧穿二极管的退化现象的研究* † 陈浩然 杨林安 朱樟明 林志宇 张进成 ( 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071 ) ( 2013 年7 月7 日收到; 2013 年7 月22 日收到修改稿) 文章研究了GaN 基共振隧穿二极管(RTD) 的退化现象. 通过向AlGaN/GaN/AlGaN 量子阱中引入三个实测的 深能级陷阱中心并自洽求解薛定谔方程和泊松方程, 计算并且讨论了陷阱中心对GaN 基RTD 的影响. 结果表明, GaN 基RTD 的退化现象是由陷阱中心的缺陷密度和激活能的共同作用引起. 由于陷阱中心的电离率和激活能的指 数呈正相关关系, 因此具有高激活能的陷阱中心俘获更多电子, 对负微分电阻(NDR) 特性的退化起主导作用. 关键词: 共振隧穿二极管, GaN, 陷阱中心, 电离率 PACS: 73.21.Fg, 73.63.Hs DOI: 10.7498/aps.62.217301 次的理论分析, 揭示了NDR 特性的退化现象和陷 1 引言 阱中心的内在联系. 作为第三代半导体材料的代表, GaN 和其他氮 2 结构参数和理论模型 化物材料是近年来光电子材料领域的研究热点之 一15 . 由于具有宽带隙、高电子漂移速度、大导 2.1 结构参数 带偏移、耐高温、大功率等优点, GaN 基共振隧穿 二极管(RTD) 在太赫兹产生和测量领域有着很大 仿真中采用的RTD 有源区的结构如图 1 所 的潜力. 文献[6—9] 对AlN/GaN 和AlGaN/GaN 双 示. 量子阱由n 型的Al02Ga08N/GaN/Al02Ga08N 势垒单势阱结构进行生长和测量, 研究显示随着扫 双势垒单势阱结构组成, 它夹在两块 100 nm 的n 描次数的增加, 峰值电流(I ) 和电流峰谷比(PVCR) 型GaN 欧姆接触区之间, 这两块欧姆接触区分别为 P 下降明显. 这一现象被称为退化现象, 该现象已经 集电区和发射区, 欧姆接触区为重掺杂, 掺杂浓度 被证明是由陷阱效应引起. 被缺陷俘获的电荷降 为1 1019 cm3 . 在量子阱和欧姆接触区之间的是 低了有效势垒高度, 改变了主要的传输机理, 造成 两层5 nm 的隔离区. 了负微分电阻(NDR) 特性的不稳定. 国内外的研 本文的讨论基于Ga 面GaN 结构. 为了使仿真 究者采用很多措施减少陷阱中心对NDR 特性的影 符合实际情况, 电极和欧姆接触区的电阻率设置为 3 2 8 2 响, 比如使用低Al 组分的AlGaN/GaN 异质结, 降低 436 10 Ωcm , RTD 的截面积为30 m . 本 GaN 外延的生长温度910 . 然而和传统III-V 族化 文重点对 1.5/1.5/1.5 nm 的AlGaN/GaN/AlGaN 量 合物半导体相比, GaN 基RTD 的NDR 特性依然衰 子阱结构进行研究, 同时在1.3—1.7 nm 范围内改 减严重