原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
第 卷第 期 红 外 与 毫 米 波 学 报
19 3 ol. 19, No.3
年 月
2000 6 J. Infrared Millim. Waves June,2000
原子氢辅助分子束外延生长对GaAS
材料性能的改善%
王海龙 朱海军 宁 东 汪 辉 王晓东 郭忠圣 封松林
(中国科学院半导体 半导体超晶格国家重点实验室 北京, , ,100083)
摘要 利用深能级瞬态谱( )研究了常规分子束外延和原子氢辅助分子束外延生长的掺杂 和 的 同质
DLTs si Be GaAs
结构样品中缺陷的电学特性 发现原子氢辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比.
有明显的降低,这可解释为生长过程中原子氢对缺陷的原位中和与钝化作用.
关键词 原子氢辅助分子束外延生长 深能级瞬态谱, (DLTs),深能级缺陷.
THE IMPROVEMET CHARACTERISTICSOF HOMOEPI-
TAXIAL GaAS GROWN BY ATOMIC HYDROGEN-
ASSISTED MOLEC LAR BEAM EPITAXY%
WANG ~ai Long Z~U ~ai Jun NING Dong WANG ~ui WANG Xiao Dong- - -
GUO Zhong sheng FENG song Lin- -
(National Laboratory for superlattices and Microstructrues Institute of semiconductors Chinese, ,
Academy of science Beijing, 100083, China)
AbStract The electrical activity of defects in GaAs grown on GaAs substrates doped with si and Be by both conventional
( ) - ( - )
molecular beam epitaxy MBE and atomic hydrogen assisted MBE ~ MBE were characterized by deep level transient
spectroscopy The trap densities are significantly reduced in the homoepitaxial GaAs grown by ~ MBE compared to that. -
grwon by MBE The reduction of trap densities is attributed to in situ passivation of these defects by atomic ~ during the.
growth The improvement characteristics of GaAs materials will be significance for fabrication of semiconductor devices. .
Key w r S atomic hydrogen assisted molecular b
文档评论（0）